硅基多晶钛酸锶钡铁电多层膜的结构与介电增强效应-凝聚态物理专业论文.docxVIP

硅摹多品钛酸锶钡铁屯多层膜的结构与介电增强效应 硅摹多品钛酸锶钡铁屯多层膜的结构与介电增强效应 中文摘要 中文摘要 钛酸锶钡铁电薄膜因具有良好的铁电、介电、压电和热释电等性能而受到重视 这些性质使它们可应用于与硅电路集成的动态随机存储器。本论文的工作主要研究了 利用脉冲激光法，在硅基片上沉积多晶的钛酸锶钡铁电多层膜，使其介电常数增强的 同时，保持较低的介电损耗。通过对多层膜结构和性质的系统研究，分析了多晶的多 层膜中介电增强效应的形成机理。论文的研究结果如下 (1)周期厚度对钛酸锶钡多层膜的影响 采用脉冲激光法在Pt／Ti／Si02／Si衬底上沉积了多晶的BaTi03／Bao 6Sro 4Ti03、 BaTi03／Bao 2Sro gTi03、BaTi03／SrTi03三种多层膜，研究发现周期厚度明显影响多层 膜的介电性质，通过改变周期厚度，在三种多层膜中均发现了介电常数增强的现象。 在BaYiO]／Bao 6Sro 4Yi03多层膜中．当周期厚度为60nm时，介电常数高达1336，介 电损耗仅为O．04。在BaTi03／Bao 2Sro 8Ti03多层膜中，当周期厚度为80nm时，介电常 数为890，介电损耗为0．04。在BaTi03／SrTi03多层膜中，当周期厚度为60nm时，介 电常数为721，介电损耗仅为O．0334。研究同时表明，在硅基多晶的多层膜中，不同 介质材料的接触处存在明显的界面层，正是这一特殊的界面层导致了介电常数的增 强，该介电常数增强的现象与Maxwell-Wagner效应相关。 (2)后处理对钛酸锶钡多层膜的影响 利用脉冲激光沉积法在Pt／Ti／Si02／Si衬底上，沉积了单层厚度为48rim的多晶 BaTi03／Bao 2Sro 8Ti03多层膜，通过对薄膜进行热后处理，研究了其介电性质。研究发 现，薄膜经过热处理后，相对介电常数明显增大．而介电损耗变化不大。经过2．5小 许撼多品钛睃镏{jJ：|铁l乜多层膜的结构-J介IU增强效心 许撼多品钛睃镏{jJ：|铁l乜多层膜的结构-J介IU增强效心 中义摘筮 时后处理的多层膜，其相对介电常数高达891，而介电损耗仅为0．038。作者采用MW 模型对实验数据进行了解释，结果表明，在合理的参数下，模拟曲线与实验结果相吻 (3)薄膜厚度对钛酸锶钡多层膜的影响 利用脉冲激光沉积法在Pt／Ti／Si02／Si衬底上，沉积了不同总厚度的多晶 BaTi03／Bao 2Sro 8Ti03多层膜，研究了周期厚度、界面数对薄膜介电性质的影响。研究 表明，在相同界面数的情况下，厚度对薄膜的介电性质影响较大。在薄膜厚度为240nm 时，多层膜的介电常数为810．介电损耗为O．036。同样，在保持周期厚度相同的前 提下，薄膜厚度对介电性质也产生较大的影响。在薄膜厚度为320nm时，多层膜的 介电常数为913，而介电损耗仍然保持在较低的水平，仅为0．036。分析表明，实验 结果与界面空间电荷极化有关，通过对实验数据进行MW理论分析，发现拟合结果 与实验数据相符合。 关键词：介电增强效应，铁电多层膜，钛酸锶钡薄膜，脉冲激光沉积， Maxwell-Wagner模型 作 者：葛水兵 指导教师：宁兆元 硅批多品钛酸锶钾!铁l毡多层膜的结构‘_介l乜增强效艟 硅批多品钛酸锶钾!铁l毡多层膜的结构‘_介l乜增强效艟 英义摘婪 Structure and dielectric enhancement of polycrystalline(Ba，Sr)Ti03 ferroelectric multilayer films on Si substrate Abstract (Ba，Sr)Ti03 thin films show high application potential in hi曲-density DRAM capacitors with very large scale integration because of their good ferroelectric，dielectric， piezoelectric and pyroelectric properties．The present dissertation focuses On the research of dielectric properties of polycrystalline(Ba，Sr)Ti03 multilayer films prepared by pulsed laser deposition OB Si substrates and the mechanism of dielectric enhancement is discussed Some ofthe main results