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第二章　电性材料Chapter 2 Electronic Materials 主要内容： 导电材料 半导体材料 超导材料 　（3）铋锶钙铜氧化物（Bi-Sr-Ca-Cu-O）超导体 　 Bi-Sr-Ca-Cu-O(Bi2Sr2Can-1CunO2n+4，n＝1,2,3,4)体系有四种超导相(对应4个n值)：2201相、2212相、2223相和2234相，均具有高的Tc 。 　 特点：一些Cu－O层被Bi2O2双层隔开，不同相的结构差异在于相互靠近的Cu－O层的数目和Cu－O层之间Ca层的数目。各超导相在结构上有相似性，形成能也较接近，因此在制备时有多相共生现象。 　（4）铊钡钙铜氧化物（Tl-Ba-Ca-Cu-O）超导体 　 特点：Tl-Ba-Ca-Cu-O有两种体系的相，一种是Tl2Ba2Can-1CunO2n+4，有与Bi-Sr-Ca-Cu-O体系结构类似的四个超导相，即：Ti-2201相、Ti-2212相、Ti-2223相和Ti-2234相，Tc更高。另一种是TlBa2Can-1CunO2n+3，（n＝1, 2, 3, 4, 5），特点是Cu－O平面被Tl－O单层隔开。 第二章 电性材料－§2.3 超导材料 　（5）汞钡钙铜氧化物（Hg-Ba-Ca-Cu-O）超导体 　 特点：为目前所发现的临界温度Tc最高的超导体，晶体结构与TlBa2Can-1CunO2n+3，（n＝1, 2, 3, 4, 5）超导相很相似，为四方晶系结构，Tc 最高达134K。 　 三个典型的超导相： 　　Hg1201(HgBa2CuO4+?)，Tc 为94K。 Hg1212(HgBa2CaCu2O6+?)，Tc 为129K。 Hg1223(HgBa2CaCu2O8+?)，Tc 为134K。 　（6）钕铈铜氧化物（Nd-Ce-Cu-O）超导体 特点：Nd2-xCexCuO4氧化物超导体为第一个电子导电型氧化物超导体，属四方结构。尽管Tc 24K，但因载流子性质和La-Ba-Cu-O、La-Sr-Cu-O、Y-Ba-Cu-O、Bi-Sr-Ca-Cu-O、Tl-Ba-Ca-Cu-O等超导体不同，因而对超导机制有重要意义。 第二章 电性材料－§2.3 超导材料 　3、Ⅱ-Ⅳ族化合物半导体及应用 　（1）硫化锌(ZnS)和硒化锌(ZnSe) 　 特点及应用： 　 硫化锌：具有闪锌矿型和纤维锌矿型晶体结构。粉末状硫化锌是重要的光致发光、阴极射线致发光和电致发光材料。硫化锌单晶或烧结片是良好的红外窗口材料，单晶还可制造激光调制器。 　 硒化锌：用于制造黄光和绿光结型发光器件。 　（2）硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)和碲化镉(CdTe) 　 特点及应用： 　 硫化镉：属六方晶系，各向异性显著。粉末材料可制成电致发光器件、光敏电阻、光电池及太阳能电池等；单晶材料可用于红外窗口、激光调制器、? 射线探测器、光敏电阻等。 　 硒化镉：制造光敏电阻。 　 碲化镉：制作核辐射探测器。 第二章 电性材料－§2.2 半导体材料 　4、其他化合物半导体及应用 　（1）碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN) 　　 SiC和GaN具有宽的禁带，是第三代半导体材料的典型代表。 　 特点：碳化硅单晶禁带宽度较宽，化学性能稳定，临界击穿电压、热导率和饱和电子漂移速度高。 　 应用：SiC制造高频、大功率、耐高温、抗辐射的半导体器件，如发热器或红外光源，发光二极管。GaN制备高亮度蓝光二极管。 　（2）硫化铅等铅的硫族化合物半导体 　 特点：禁带宽度小，红外光电导效应显著。 　 应用：光敏电阻（近红外探测器）、激光器材料。 GaN蓝光二极管 第二章 电性材料－§2.2 半导体材料 我国化合物半导体材料的研究和制备现状： 　 我国在化合物半导体材料的研究和制备上与发达国家的差距较明显，主要体现在单晶片的研制水平和商品化方面。 　 以GaAs为例： ? 50 mm － ? 100 mm 中　国 ? 100mm ? 150 mm ? 150～200mm 发达国家 商品化水平 大批量生产水平 研制水平 GaAs单晶 　 而在SiC和GaN研究方面，我国目前基本上还处于研究阶段，没有开始大规模生产。 第二章 电性材料－§2.2 半导体材料 　5、固溶体半导体及应用 　 固溶体半导体是由两种或两种以上的元素或化合物半导体相互溶合而成的材料。 　重要特性：禁带宽度可调。 　（1）镓砷磷 　 特点：由GaAs和GaP组成的固溶体（GaAs1-xPx），是一种可见光发光材料。随着x值由1变到0，发光波长由565nm(GaP)变到900nm(GaAs)。 　 应用：制作红、黄光二极管。 　（2）镓铝砷 　 特点：由GaAs和AlAs组成的固溶体（Ga1-x