3数字电子基础-TTL和CMOS门电路.pptVIP

Diode The structure of Silicon and Germanium atom OC门 (集电极开路门) 输出端能够直接“线与” 吗？ 不能 OC 门 OC门 OC 门 所有 OC 门都截止 OC 门 只有一个 OC门导通的情况 三态门 三态门的应用 三态门的应用 TTL 系列门电路 7400-series 74H (High speed TTL) 74L(Low-power consumption TTL) 74LS (Low-power Schottky TTL) 74AS (Advanced Schottky TTL) 74ALS (Advanced Low-power Schottky TTL) 74F (Fast TTL) 74S (Schottky TTL): 肖特基势垒三极管 为什么TTL门电路的传输时间长? + - + - + - + - + - + - 肖特基二极管导通,分流一部分基极电流，因此三极管不会进入到深度饱和状态 74S系列 与非门 Power consumption NMOS 管 Source Drain NMOS 管 增强型 NMOS场效应管 逻辑符号 or PMOS管 or 增强型 PMOS场效应管 NMOS管的工作原理 反型层 NMOS管的工作原理 iD 夹断状态 保持不变 NMOS 管的 I-V特性 NMOS管的工作原理 导通状态可分为两个工作区域：: ----- 线性区: ----- 饱和区 MOSFET 处在导通状态 MOSFET处在截止工作状态 PMOS管的 I-V特性 CMOS反相器 功能表 CMOS 反相器的静态工作特性 传输特性曲线 VTH CMOS 反相器的静态工作特性 直流噪声容限 CMOS 反相器的直流噪声容限 CMOS反相器的静态工作特性 CC4000系列 74HC系列 CMOS反相器的静态工作特性 CC4000特性 74HC系列 CMOS反相器的静态工作特性 CMOS反相器的输出特性 CMOS反相器的静态工作特性 CMOS反相器的输出特性 CMOS与非门 功能表 * 本章内容 二极管 三极管 TTL门电路 MOS管 CMOS门电路 南京大学金陵学院—肇莹 二极管 硅和锗半导体的结构 +4 +4 +4 +4 纯净的硅或锗半导体 二极管 价电子 纯净半导体又叫“本征半导体” +4 +4 +4 +4 自由电子 空穴 共价键中的电子 二极管 在纯净半导体中，电子和 空穴是成对出现的 纯金半导体中的电流非常小， 大概10-9A) 成为正离子 N型半导体 多数载流子是电子 少数载流子空穴的浓度与温度有关 多数载流子的浓度与温度无关 +4 +4 +4 +4 +5 多余电子 磷 磷称作“施主杂质” +4 +4 +4 硼 空穴 负离子 P型半导体 多数载流子是空穴 少数载流子电子的浓度与温度有关 多数载流子空穴的浓度与温度无关，与掺杂浓度有关 少数载流子电子 +4 +3 硼是受主杂质 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N型半导体 掺杂的半导体处于电中性状态 掺杂的半导体称作“非本征半导体” － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － p + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + n 耗尽层 空穴漂移 电子漂移 空穴扩散 电子扩散 阈值 二极管的V—I特性曲线 正向偏置 反向偏置 击穿电压 雪崩击穿 P N + - P N + - 阳极 阴极 R VD On On Off K R R K Off 二极管的开关特性曲线 二极管的动态特性 R VD On Off Vi t t 理想状态下 t 实际上 三极管的工作状态 饱和: 截止 0V 0V 二极管与门 . +VCC R D1 D2 A B F 0 0 0 1 0 1 1 1 0 1 0 0 A B F Input Output 功能表 F=A B . F A B 0V 5V 5V 5V 二极管或门 0V 0V 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0V 5V 5V 5V 1 1 0 真值表 A B F Input Output F=A+B F + A B R A B F 1 0 截止 饱和 “0” +VCC -VBB A RK RB RC F VT 真值表 Input Output A F 1 0 “1” “1” “0” 三极管非门 1 A F 逻辑函数：F=A TTL 非门 (74x) =5V VIH=3.4V