异质整合奈米电晶体之研制.PDF

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告 異質整合奈米電晶體之研製(3/3) 研究成果報告(精簡版) 計 畫 類 別 ： 整合型 計 畫 編 號 ： NSC 99-2622-E-008-017-CC1 執 行 期 間 ：99年11月01日至 100年10月31日 執 行 單 位 ：國立中央大學電機工程學系 計 畫 主 持 人 ： 綦振瀛 共 同 主 持 人 ： 李佩雯 計畫參與人員： 碩士班研究生-兼任助理人員：王慶奇 碩士班研究生-兼任助理人員：廖柏翔 碩士班研究生-兼任助理人員：陳沛煜 碩士班研究生-兼任助理人員：劉弘凱 碩士班研究生-兼任助理人員：高宗延 碩士班研究生-兼任助理人員：余政達 碩士班研究生-兼任助理人員：曾信翔 博士班研究生-兼任助理人員：邱培晉 博士班研究生-兼任助理人員：陳政佑 博士班研究生-兼任助理人員：何漢傑 博士班研究生-兼任助理人員：陳冠宏 博士班研究生-兼任助理人員：簡中彥 公 開 資 訊 ： 本計畫涉及專利或其他智慧財產權，研究成果報告(精簡版)2 年後可公開查詢 中 華 民 國 101 年 01月 30 日 中 文 摘 要 ： 本三年期產學計畫係針對積體電路產業未來的技術瓶頸及需 求，探討III-V CMOS元件技術的可行性。我們選擇銻化物為 標的，希望藉由其優異的傳輸性能，搭配創新的基板及磊晶 技術，發展整合高速n及p 通道銻化物場效電晶體於矽基板 上的關鍵技術。此計畫由三個子計畫共同執行，各子計畫的 重要研究成果分別為： 1. 利用分子束磊晶法(MBE)，發展於砷化鎵基板上成長高品 質銻化銦、砷化銦n通道與銻化銦鎵p通道高速元件之磊晶 技術，所獲得砷化銦之電子遷移率為27,100 cm2/V-s，銻化 銦之電子遷移率高達22,600 cm2/V-s，銻化銦鎵電洞遷移率 高達1,220 cm2/V-s； 於矽基板上成長高品質砷化銦n型與 銻化銦鎵p型高速元件之磊晶技術，電子遷移率高達18,100 cm2/V-s，電洞遷移率高達484 cm2/V-s。 2. 完成原子層沉 積系統(ALD)與分子束磊晶設備串連，研究高介電材料氧化鉿 於砷化銦材料上之特性。3. 製作於矽基板以及砷化鎵基板上 之高速銻化物異質接面場效電晶體，其中p通道元件電流增 益截止頻率可達15 GHz，n通道元件電流增益截止頻率可達 100 GHz。此計畫專利產出三項，期刊論文超過七篇，國內外 研討會論文二十篇。 中文關鍵詞： 銻化物、金屬-絕緣體-半導體場效電晶體、異質接面場效電 晶體 英 文 摘 要 ： This three-year proposal focuses on the study and