晶圆背面研磨与湿式刻蚀应力消除工艺-半导体芯科技.PDF

技术 晶 圆 处 理 T ECHN OLOGY 晶圆背面研磨与湿式刻蚀应力消除工艺 1.前言 在许多IC 工艺后期都会进行晶圆背面研磨（Backside Grinding, BG ），使晶圆薄形化，以利后续晶圆切割及 封装等。例如：在智能卡应用上，必须将晶圆厚度由 700~600 m 研磨到 200~40 m。在晶圆背面研磨之后， μ μ 有许多产品需要进行后续工艺，包括：离子布植（Ion Implementation ）、热处理（Heat Treatment ）和晶圆背面金 属（ Backside Metal ；BM ）沉积等。由于晶背面研磨后 会产生应力和翘曲，如果晶圆应力过大，将会延伸到正面 的组件区域。当晶圆薄形化和变脆时，晶背研磨所产生之 应力及变形将危及后续工艺之良率。例如：胶膜去除（De- tapping ）、晶圆持取（Wafer Handling ）和封装（Packaging Assembly ）等工艺，所以必须消除晶圆之应力及损伤层。 当半导体朝向更薄，更小构装体积之趋势时，晶圆 薄化逐渐成为重要关键技术。使用薄化晶圆，可减少构装 图1. 晶圆在研磨时遭受到机械摩擦力与热应力，产生损伤层之厚度。 体积，允许每单位体积内具备更多功能。在一些情况下， 上留下微裂痕（Micro-Crack ）和晶体差排（Crystal IC 构装要求硅晶圆厚度薄化到30μm。一般晶圆薄化目的 Dislocation ）等缺陷。这是由于晶圆在研磨时遭受到机 包括：（1）晶圆薄化可增加芯片之柔软性；（2）晶圆薄化 械摩擦力与热应力，导致晶圆表面产生损伤层（Damage 可容许更高热膨胀系数的不匹配性；（3）晶圆薄化可以降 Layer ），引发裂缝产生（Crack Initiation ）、裂缝延伸（Crack 低芯片的热阻抗，所以可加快芯片的散热，尤其在组件之 Propagation ），及最后产生晶圆破裂（Wafer Fracture ）。此 开关速度持续增加之时；（4）晶圆薄化可将多个芯片整合 外，晶圆翘曲也与晶圆表面损伤层有关。如图 1 所示晶圆 在一个构装体内，进而应用3D-IC 芯片堆栈之系统级构装 在研磨时遭受机械研磨与热应力，所产生之应力损伤层分 （System In Package; SIP ）。 布，一般应力损伤层厚度为 10~25 m。 μ 在各种组件应用上，目前对于晶圆薄化之厚度需求， 为了消除晶圆应力、去除损伤层及翘曲，进而增加晶 如表 1 所示。 圆强度。一般在晶圆研磨后会进行后续消除损伤层步骤， 晶圆薄化最常使用之方法为晶圆背面研磨工艺，虽 例如：（1）研磨后进行抛光、退火；（2）研磨后进行抛光、 然背面研磨有着相对较低之成本，但是却会在硅晶圆 湿式化学刻蚀；（3）研磨后进行抛光、干式刻蚀等。由于 元件应用 晶圆薄化之厚度 抛光或干式刻蚀均需增加额外的高成本，而退火处理亦需 花费冗长之工艺时间，在温度300~500℃下，退火工艺时 内存堆栈(Memory Stacking) 构装 70~50μm 间为1~3 小时。 功率组件(Power Device) 200~70μm 考虑降低成本与缩短工艺时间，一般使用湿式化学 智能卡(Smart Card) 200~40μm 刻蚀来消除晶圆应力损伤层，尤其为了增进硅晶圆刻蚀之 表1. 不同组件对于晶圆薄化之厚度需求 均匀度，都会采用单晶圆旋转刻蚀法（Single Wafer Spin 作者：许明哲, 弘塑科技工程师; 黄富源, 弘塑科技副总经理; 张修凯, 弘塑科技产品经理