氮化硅和掺杂氮碳化硅粉体的制备及其微波介电特性-硅酸盐学报.PDF

第36 卷第6 期 刘云飞 等：用高分辨透射电子显微技术研究0.94(Na Bi )TiO –0.06BaTiO 的有序结构 · 783 · 1/2 1/2 3 3 第36 卷第6 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 36 ，No. 6 2 0 0 8 年 6 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY J u n e ，2 0 0 8 纳米碳化硅、氮化硅和掺杂氮碳化硅粉体的制备及其微波介电特性 1 2 2 赵东林 ，罗 发 ，周万城 (1. 北京化工大学，化工资源有效利用国家重点实验室，北京 100029 ；2. 西北工业大学，凝固技术国家重点实验室， 西安 710072) : 摘 要：为了制备耐高温吸波材料，用激光诱导气相反应法，以六甲基二硅胺烷[(Me Si) NH](Me CH ) 、乙炔、硅烷和氨气为原料，用双反应室激光 3 2 3 气相合成纳米粉体装置分别制备了纳米SiC，Si N 和SiC(N)粉体，纳米粉体的粒径为20～30 nm 。研究了纳米SiC，Si N 和SiC(N)粉体在8.2～12.4 GHz 3 4 3 4 的微波介电特性，纳米SiC(N)粉体介电常数的实部(ε′)和虚部(ε″)在8.2～12.4 GHz 随频率增大而减小，介电损耗(tgδ=ε″/ε′)较高，是较为理想的微波吸 收材料，而纳米SiC 和Si N 粉体的tgδ基本为0 。纳米SiC(N)粉体中S，C，N 原子周围的化学环境比纯SiC 和Si N 相的混合体要复杂得多，这是 3 4 3 4 导致其性能变化的主要原因。纳米SiC(N)粉体中的SiC 微晶固溶了大量的N 原子，在纳米SiC(N)粉体中形成大量的带电缺陷，在电磁场作用下形成 极化耗散电流，极化弛豫是吸收电磁波的主要原因。 关键词：纳米碳化硅和氮化硅；纳米掺杂氮碳化硅；激光诱导气相反应；微波介电特性 + 中图分类号：TQ174.75 .8.12 文献标识码：A 文章编号：0454–5648(2008)06–0