氮砷化铟块材材料及分子束磊晶成长锑化镓研究.PDF

行政院國家科學委員會補助專題研究計畫 成果報告 ※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※ ※ ※ 波導結構光電元件及相關介觀材料結構研究- ※ ※ 子計劃四:三五族半導體光電材料及元件之研究 ※ ※ ※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※ 計畫類別：□個別型計畫 □整合型計畫 計畫編號：NSC 89 －2218 －E－002－098－ 執行期間： 89 年 08 月 01 日至90 年 07 月 31 日 計畫主持人：林浩雄 共同主持人： 本成果報告包括以下應繳交之附件： □赴國外出差或研習心得報告一份 □赴大陸地區出差或研習心得報告一份 □出席國際學術會議心得報告及發表之論文各一份 □國際合作研究計畫國外研究報告書一份 執行單位：國立臺灣大學電機工程學系 中 華 民 國 90 年 12 月 26 日 1 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 氮砷化銦塊材材料及分子束磊晶成長銻化鎵研究 Studies on InAsN bulk films and MBE growth of GaSb 計畫編號：NSC 89-2218-E-002-098 執行期限：89 年 8 月 1 日至90 年 7 月 31 日 主持人：林浩雄 國立臺灣大學電機工程學系 計畫參與人員：劉珀瑋 時定康 國立臺灣大學電機工程學系 一、中文摘要 Absorption spectra of these films show that the fundamental absorption energy of InAsN is 於本研究中，我們以射頻電漿輔助之 higher than that of InAs. This is due to 氣態源分子束磊晶機成長氮砷化銦塊材材 Burstein-Moss effect caused by the residual carriers. To educe the ‘real’ band gap energy 料，並藉由雙晶 X 光繞射儀、霍爾效應及 of our IdnAsN samples, the energy shift due to 傅氏紅外光光譜轉換儀等方式分析其基本 band-filling effect and the band gap 物理特性，並利用 Band anticrossin