具有肖特基结构整流器件的特性研究-微电子学与固体电子学专业毕业论文.docxVIP

摘要摘要 摘要 摘要 功率半导体器件和功率集成电路是半导体产业的重要分支，功率整流器件是功率半导 体器件的重要组成部分，各种功率整流器件广泛应用在人们的生活和生产中，包括了太阳 能、通讯、汽车、电力传输和家用电器等领域；功率整流器件朝着低功耗和低成本方向发 展，要求更低的正向开启电压和正向导通电阻、更高的电流密度及更快的反向恢复时间。 发展器件的新理论和新结构，可以优化整流器件的各项电参数特性，满足功率整流器件的 发展要求。 本文主要研究具有肖特基结构的功率整流器件，首先论述了TMBS和GD．TMBS单载 流子器件，器件通过MOS结构和线性掺杂改变漂移区电场分布，优化器件的电参数特性； 第三章论述MPS、SJ．MPS、SEMI．SJ MPS和TSOX．MPS双载流子器件，器件具有比肖特 基具有更好的反向阻断特性，比PIN具有更好的瞬态开关特性。 在第四章中研究沟槽侧壁具有肖特基结的整流器件，首先论述了TSBS器件，使用 SIVALCO软件仿真器件结构尺寸以及势垒高度对器件电参数的影响，同时对器件的反向 电场分布进行了仿真，仿真结果验证器件在沟槽拐角处具有峰值电场的不足之处；在为了 解决此问题的基础上，引入介绍一种专利结构TSS．MPS器件和宽禁带材料的TSBS器件， 使用SIVALCO软件模拟仿真TSS．MPS器件结构尺寸以及势垒高度对器件电参数的影响， 仿真结果发现TSS．MPS器件能够实现良好的反向阻断特性，同时仿真结果也得出器件正 向导通电流主要从侧壁底部的肖特基结导通，并且器件沟槽深度的增加会引起器件反向漏 电流的增加；为了加强沟槽结构台面顶部对器件正向导通的作用和反向漏电流的抑制，以 及降低沟槽器件在沟槽拐角处产生的峰值电场，在此基础上本文提出一种TD．MPS器件， 通过使用SIVALCO和ISE．TCAD仿真软件对器件的正向导通特性、漂移区少数载流子分 布、电场分布和反向恢复特性进行模拟分析，仿真结果表明TD．MPS器件具有良好的反向 阻断特性，比MPS器件具有更好的正向导通特性，与MPS器件具有相近的反向恢复特性， 通过仿真器件漂移区少数载流子浓度和不同反向偏压下漂移区电场数据，给出TD．MPS 器件物理特性的解释。 关键词： 肖特基、沟槽、 单载流子器件、 功率器件 III 浙江大学硕士学位论文 浙江大学硕士学位论文 IV IV AbstractAbstract Abstract Abstract Power semiconductor devices are recognized as a key component of all power electronic systems．With the wide spread use of electronics in the consumer,industrial，medical，and transportation sectors，power devices have a major impact on the economy,because they determine the cost and efficiency of systems．In actual power electronic applications，the devices are demanded for high voltage，low reverse leakage current，low forward voltage drop， fast．switching rectifier features and excellent reverse recovery behavior．For these years，several attempts have been made for the rectifiers with schottky structure． In this paper,the chapters are devoted to various advanced power rectifier structures．ne unipolar device structures are first covered in the chapter 2 on the TMBS(Trench MOS Barrier Schottky)and GD-TMBS(Trench MOS Barrier Schottky with Graded Doping Profile)rectifiers． The rectifiers change the profiles of electronic field by MOS structure．The rectifiers exhibit advan