课件：晶体三极管的伏安特性曲线.pptVIP

① 饱和导通条件及饱和时的特点： 条件：三极管临界饱和时 UCE=UCES , Ic=ICS , IB=IBS 由上面电路知 ： 其中UCES很小 ！ * 在工作中，若三极管的基极电流IB大于临界饱和时的IBS，则晶体管T导通，即 当 : 时，T 导通 特点：由输入和输出特性知：对硅管来说，饱和导通后，UBE=UBES= 0.7V，UCE= UCES≤0.3V，如同闭合的开关。 * ② 截止条件及截止时的特点： 条件：UBEUON= 0.5V，VON为硅管发射结的死区电压。 由三极管的输入特性知道，当UBE 0.5V时，管子基本上截止的，所以，在数字电路的分析估算中，常把UBE 0.5V作为截止条件。 特点：三极管截止时，IB ≈ 0 , Ic ≈ 0，如同断开的开关。 * ③ 简化电路模型： 前面我们讲到三极管在饱和模式和截止模式下呈现受控开关特性，那么，它工作在这两种模式的转换之下就可实现开关电路，现在我们分别来看一下其饱和模式和截止模式下的等效电路。 以共发射极接法为例： * * UBES=0.7V UCES 0.3V 五、三极管的主要参数 三极管的参数是用来表征管子各方面性能及其运用范围的指标，可以做为电路设计，调整和使用时的参考。其主要参数有： 1、电流放大系数： 直流放大系数： （以上系数在讨论大幅度信号变化或涉及直流量时使用） * 交流放大系数： （以上系数在讨论小信号的变化量时使用） 当 基本不变（或在IE的一个相当大的范围内）时，有： * 2、极间反向电流： ICEO = (1+β) ? ICBO 其中: ICBO 指发射极开路时，集电极与基极间的反向饱和电流;ICEO 又叫ICEO(pt)，指基极开路时，集电极与发射极间的穿透电流。 * 3、特征频率fT fT是反映晶体管中两个PN结电容的影响的参数 当输入信号的频率增高到一定值后，结电容将起到明显的作用，使β下降，因此， fT是指使β下降到1时输入信号的频率。 * * B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO进入N区，形成IBE。 根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。 集电结反偏有ICBO 集-射极反向截止电流ICEO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 4、极限参数 （1）集电极最大允许电流ICM： 在Ic的一个很大范围内，β值基本不变，但当Ic超过一定数值后，β值将明显下降，此值就是ICM。 （2）集电极反向击穿电压U(BR)EBO、U(BR)CBO、U(BR)CEO U(BR)EBO：集电极开路时，射一基极间的反向击穿电压，这是发射结允许的最高反向电压，一般为1V～几伏。 * U(BR)CBO：发射极开路时，集-基极间的反向击穿电压，即集电结所允许的最高反向电压，一般为几十～几千伏。 U(BR)CEO：基极开路时，集-射极间的反向击穿电压。 一般地：U(BR)CBOU(BR)CEO （3）集电极最大允许功率损耗PCM：PCM = Ic·UCE PCM决定于管子允许的温升，管子在使用时的功耗不能超过PCM，而且要注意散热，Si管为150℃，Ge管为70℃即为上限温度。 * * 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 六、晶体三极管的应用 作为三端器件的晶体三极管是伏安特性为非线性的有源器件，工作在放大区时具有正向受控作用，等效为一个受控电流源，而工作在饱和区和截止区时具有可控开关特性。这种非线性和可控性（正向受控和可控开关）是实现众多功能电路的基础，或者说，众多的应用电路都是以三极管为核心，配以合适的管外电路组成的。 利用三极管组成的电路可以有： 放大电路、电流源、跨导线性电路、