课件：缺陷和非整比化合物四.ppt

体缺陷 原子偏离周期排列的三维缺陷。 一般指材料中的空洞、夹杂物等， 这种体缺陷对材料性能的影响一方面与它的几何尺寸的大小有关； 另一方面也与其数量、分布有关； 它们的存在常常是有害的。 按缺陷产生的原因分类 热缺陷 杂质缺陷 非整比缺陷 晶体缺陷 电荷缺陷 热缺陷 定义:热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因 所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。 类型:弗仑克尔缺陷（Frenkel defect）和肖特基缺陷 （Schottky defect） T ↑ → 原子脱离其平衡位置 → 在原来位置上产生一个空位 ② 表面位置 Frenkel 缺陷 Schottky 缺陷 ① 间隙位置 杂质缺陷 定义:亦称为组成缺陷，是由外加杂质的引入所产生 的缺陷。 基质原子 杂质原子 基质原子 杂质原子 取代式 间隙式 非整比缺陷 指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。它是由基质晶体与介质中的某些组分发生交换而产生。如Fe1－xO、Zn1+xO等晶体中的缺陷。 含义：实际的化合物中，有一些化合物不  符合定比定律，负离子与正离子的 比例并不是一个简单的固定的比例 关系，这些化合物称为非整比化合 物（或非化学计量化合物）。 非整比缺陷 非整比化合物的特点： 1）非整比化合物产生及缺陷浓度与气氛性质、 压力有关； 2）可以看作是混合价态化合物； 3）非整比化合物都是半导体。 半导体材料分为两大类：一是掺杂半导体， 如Si中掺P为n型半导体；二是非整比化合物 半导体，又分为金属离子过剩（n型）（包括 负离子缺位和间隙正离子）和负离子过剩（p 型）（正离子缺位和间隙负离子）。 非整比缺陷 非整比化合物的分类 一、由于负离子缺位，使金属离子过剩 二、由于间隙正离子，使金属离子过剩 三、由于存在间隙负离子，使负离子过剩 四、由于正离子空位的存在，引起负离子过剩 非整比缺陷 由于负离子缺位，使金属离子过剩 TiO2、ZrO2会产生这种缺陷，分子式可写为TiO2-x， ZrO2-x，产生原因是环境中缺氧，晶格中的氧逸出到大气中，使晶体中出现了氧空位。 非整比缺陷 非整比缺陷 由于间隙正离子，使金属离子过剩 Zn1+xO和Cdl+xO属于这种类型。过剩的金属离子进入间隙位置，带正电，为了保持电中性，等价的电子被束缚在间隙位置金属离子的周围。例如ZnO在锌蒸汽中加热会形成这种缺陷。 非整比缺陷 e 由于间隙正离子，使金属离子过剩型结构 非整比缺陷 由于存在间隙负离子，使负离子过剩 具有这种缺陷的结构，目前只发现UO2+x，可以看作U2O8和UO2的化合物，具有这样的缺陷。当在晶格中存在间隙负离子时，为了保持电中性，结构中引入空穴，空穴在电场下会运动。因此，这种材料是P型半导体。 非整比缺陷 非整比缺陷 由于间隙负离子，使负离子过剩型结构 由于正离子空位的存在，引起负离子过剩 由于正离子空位的存在，为了保持电中性，两个空穴被吸引到空位的周围，形成P型半导体。 非整比缺陷 非整比化合物缺陷的浓度与气氛的性质及大小有关，这是它和别的缺陷的最大不同之处。以非整比的观点来看问题，世界上所有的化合物，都是非整比的，只是非整比的程度不同而已。 非整比缺陷 其它原因，如电荷缺陷，辐照缺陷等 电荷缺陷：质点排列的周期性未受到破坏，但因电子或空穴的产生，使周期性势场发生畸变而产生的缺陷。 辐照缺陷：材料在辐照下所产生的结构不完整性。 缺陷对晶体性质的影响 （1） 对力学性质的影响 （2）对催化性能影响 （3）对电化学性质的影响 （4）对光学性质的影响 （5）对晶体颜色的影响 1．对力学性质的影响 由于结构缺陷的存在，使得晶体的机械强度大大降低。 2. 对光学性质的影响 晶体缺陷对晶体的光学性质有很大影响。如杂质原子就会对闪烁晶体材料的性能产生重大影响。BGO是化合物Bi4Ge3O4的简称。BGO晶体无色透明，室温时在光和X射线辐照下有很强的发光性质，是性能优异的新一代闪烁晶体材料，可以用于探测X 射线、 Y射线、正电子和带电粒子等，在核物理，高能物理，核医学和石油勘探等有广泛应用，但如果含千分之几的杂质，发光性能就会受到严重的影响。 3．对电学性质的影响 由于晶格中空位缺陷的存在，对各类晶体的电导率产生不同的影响。 因为在电场作用下，离子会通过空位而移动，从而增高了离子晶体的电导率； 但对电子导电的金属晶体而言，则因其