IBC电池的工艺流程.docVIP

.. .. IBC 工艺流程 准备—— N 型 FZSi ，电阻率约为 2.5 Ωcm。制作前进行了双面抛光，并在 % 的 HF 酸溶液中浸泡，去除金属颗粒等杂质 B 掺杂——背面（ BS ）外延 B 掺杂，形成 P+，制作发射极 掩模 1——PECVD 沉积氮化硅，厚度约 200nm ，作为后道工艺的掩模 酸洗 1——利用去除未经曝光的光刻胶，漏出需要做 BSF 的区域，并且用 BHF （buffered hydro ?uoric ）去除需要做 BSF 区域的氮化硅 刻蚀 1——利用 HF 和 HNO 3 去除 BSF 区域的 Emitter 。利用 Si 的各向异性 和氮化硅的各项同性差异可以在相同时间内做到 Si 和氮化硅的差异性刻 氮化硅悬臂，有助于 蚀 ， Si 被 腐 蚀 的 速 度 大 于 氮 化 硅 ， 从 而 做 出 氮 化 硅 悬 臂 0.5 μm BSF 和 emitter 的隔离 P 掺杂——制作 BSF ，形成 N+。然后利用 BHF 溶液去除旧的氮化硅层（ P 掺杂时被污染） ，在重新 PECVD 沉积氮化硅层 IBC 工艺流程 前表面 （FS ）制绒（Texture ）——在 TMAH （四甲基氢氧化铵） 和 IPA（异 丙胺）水溶液中利用 110 面的特性刻蚀出金字塔结构。 FSF 和退火——再此去除背面氮化硅层，并在 FS 进行 P 扩散，制作 FSF 。 然后在 850 ℃和氧气氛围中进行退火， 以激活 FS 和 BS 注入的离子。 此时， 在 FS 和 BS 形成了 10-35nm 厚的 SiO2 层，作为 ARC 的第一层。 第二层 ARC ——根据 SiO 2 的厚度， 在 FS 沉积 70-45nm 厚的氮化硅层， 形 成双层 ARC ，并且起到 FS 的钝化作用（中和悬挂氢键） 。同时在 BS 沉积 100nm 厚氮化硅层，以增强背面内反射，同时达到背钝化的目的。 背接触电极——在整个 BS 热蒸发工艺沉积约 2μm 厚 Al。 · 分离制作电极——利用特定工艺去除除 BSF 接触区和 Emitter 区的 Al 层， 形成交叉指状正负电极。 IBC 工艺流程