国产SiC衬底上利用AlN缓冲层生长高质量GaN外延薄膜-发光学报.PDF

第３２卷　第９期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３２ Ｎｏ９ ２０１１年９月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｓｅｐｔ．，２０１１ 文章编号：１０００７０３２（２０１１）０９０８９６０６ 国产 ＳｉＣ衬底上利用ＡｌＮ缓冲层生长高质量 ＧａＮ外延薄膜 １ １ １ １ 陈　耀 ，王文新 ，黎　艳 ，江　洋 ， １ １ ２ １ 徐培强 ，马紫光 ，宋　京 ，陈　弘 （１．北京凝聚态物理国家实验室，中国科学院物理研究所 清洁能源实验室，北京　１００１９０； ２．天津中环新光科技有限公司，天津　３００３８５） 摘要：采用高温ＡｌＮ作为缓冲层在国产ＳｉＣ衬底上利用金属有机物化学气相外延技术生长ＧａＮ外延薄膜。 通过优化ＡｌＮ缓冲层的生长参数得到了高质量的ＧａＮ外延薄膜，其对称（０００２）面和非对称（１０１２）面Ｘ射线 衍射摇摆曲线的半峰宽分别达到１３０ａｒｃｓｅｃ和２５２ａｒｃｓｅｃ，这是目前报道的在国产ＳｉＣ衬底上生长ＧａＮ最好 的结果。文中研究了ＡｌＮ缓冲层生长参数对ＧａＮ晶体质量的影响，还利用拉曼散射研究了ＧａＮ外延薄膜中 的应力，发现具有越小Ｘ射线衍射摇摆曲线半峰宽的ＧａＮ外延薄膜受到的张应力也越小。 关　键　词：ＧａＮ；ＡｌＮ；ＳｉＣ衬底；ＭＯＣＶＤ；Ｘ射线衍射 中图分类号：Ｏ４７２　　　ＰＡＣＳ：８１．０５．Ｅａ　　　ＰＡＣＣ：８１１０Ｂ　　　文献标识码：Ａ ＤＯＩ：１０．３７８８／ｆｇｘ０８９６ 在６ＨＳｉＣ（０００１）面上的ＧａＮ薄膜在室温下具有 １　引　　言 张应力，张应力积累到一定程度会导致ＧａＮ表面 Ⅲ族氮化物材料因其具有较宽能带带隙、高 出现裂纹。 电子饱和漂移速度、耐高温、大功率容量等优良特 （３）晶格失配。ＳｉＣ衬底与ＧａＮ之间存在着 性，被用来制作成各种各样的光电器件和大功率 约３．５％的晶格不匹配，对 ＧａＮ外延膜的晶体质 电子器件［１６］，在微电子和光电子领域扮演着极 量也有影响。 其重要的角色，是目前研究和开发的热点。由于 目前国际上通常采用高温 ＡｌＮ作为缓冲层 缺乏天然的ＧａＮ体材料作为衬底，ＳｉＣ和蓝宝石 来生长ＧａＮ，得到了较好的结果［１１１４］。由于国产 是目前外延材料所使用最多的两种衬底。ＳｉＣ因 ＳｉＣ衬底的晶体质量还不高，得到的ＧａＮ晶体质 其具有更小的晶格失配、更高的热导率、利于解理 量也不高，所以目前有关在国产 ＳｉＣ衬底上生长 及能制作导电衬底等优良特性更适合作为衬 ＧａＮ外延薄膜的报道较少。 ［７８］ 底 。然而，目前采用金属有机物化学气相外延 本文采用高温ＡｌＮ缓冲层在国产的ＳｉＣ衬底 技术在ＳｉＣ衬底上直接外延 ＧａＮ材料主要存在 上生长ＧａＮ外延薄膜，通过优化ＡｌＮ缓冲层的生 如下几个技术难点： 长参数，得到了高质量的ＧａＮ外延薄膜，其 Ｘ射 （１）ＧａＮ在 ＳｉＣ衬底表面成核困难。Ｇａ原 线衍射摇摆曲线的半峰宽值接近了国际先进水 子与ＳｉＣ衬底表面浸润性差，直接生长ＧａＮ材料 平。同时还系统地研究了ＡｌＮ缓冲层生长参数 ［９］ 速度慢，