光电检测技术3.ppt

c．PSD转换放大电路 ③ 可同时检测位置和光强；PSD器件输出总电流与入射光强有关，所以从总光电流可求得相应的入射光强。 d． 光电位置传感器的特征和用途 光电位置传感器有以下特点： ① 对光斑的形状无严格要求，只与光的能量重心有关； ② 光敏面无死区，可连续测量光斑位置，分辨率高， 一维PSD可达0.2μm； 光电位置传感器被广泛地应用于激光束的监控 (对准、位移和振动)、平面度检测、一维长度检测、 二维位置检测系统等。 * 第3章 结型光电器件 结型光电器件是利用光生伏特效应工作的光电探测器件。 按结的种类不同，可分为PN结型，PIN结型和肖特基结型等。 光电池 光电二极管 光电晶体管 PIN光电二极管 雪崩光电二极管 光可控硅 象限式光电器件 位置敏感探测器（PSD） 光电耦合器件 结型光电器件包括 §3.1 结型光电器件工作原理 3.1.1.热平衡状态下的PN结 在热平衡条件下，PN结中净电流为零。有外加电 压时结内平衡被破坏，这时流过PN结的电流方程为 3.1.2.光照下的PN结 1.PN结光伏效应 PN结受光照射时，在结区产生电子-空穴对。受内建电场的作用，空穴顺着电场运动，电子逆电场运动，最后在结区两边产生一个与内建电场方向相反的光生电动势称为光生伏特效应。 2.光照下PN结的电流方程 结型光电器件有两种工作模式:光伏工作模式和光电导工作模式 在零偏置的开路状态，结型光电器件产生光生伏特效应，称为光伏工作模式。在反偏置状态，无光照时结电阻很大，结电流很小；有光照时，结电阻变小，电流变大，而且流过它的光电流随照度变化而变化。称为光电导工作模式。 SE 为光电灵敏度 当负载电阻RL断开(IL＝0)时，P端对N端的电压称为开路电压，用Voc表示 IpI0 当负载电阻短路(即RL=0)时，光生电压接近于零，流过器件的电流叫短路电流，用Isc表示 无光照时，伏安特性曲线与一般二极管的相同，二极管就工作在这 个状态，伏安特性曲线处于第一象限。 受光照后，光生电子-空穴对在电场作用下形成大于I0的光电流，并且方向与I0相同，因此曲线将沿电流轴向下平移到第四象限。 如果给PN结加一反偏电压Ub，PN结的势垒高度由 qUD增加到q(UD+Ub)，使光照产生的电子空穴对在强 电场作用下更易进行漂移运动，提高了器件的频率特 性。 PN结光电器件在不同照度下的伏安特性曲线 平移的幅度与光照的变化成正比，即Ip=SEE。光电池就是依据这个原理工作的。 当PN结反偏时，暗电流随反向偏压的增大有所增大，最后等于反向饱和电流I0，而光电流Ip几乎与反向电压大小无关。光电二极管和光电三极管就工作在这个象限 §3.2 硅光电池 光电池主要功能是在零偏置的情况下能将光信号 转换成电信号。按用途光电池可分为太阳能光电池和 测量光电池 光电池是一个PN结，根据制作PN结材料的不同， 光电池有硒光电池，硅光电池、砷化镓光电池和锗 光电池四种。 测量光电池主要功能是作为光电探测用，对它 的要求是线性范围宽、灵敏度高、光谱响应合适、 稳定性好、寿命长，被广泛应用在光度、色度、光 学精密计量和测试中。 太阳能光电池主要用作电源，它结构简单、体积小、重量轻、可靠性高、寿命长、能直接将太阳能转换成电能，不仅是航天工业上的重要电源，也广泛应用于人们的日常生活中。 2DR型硅光电池是以P型硅作基底，2CR型光电池则是以N型硅作基底，然后在基底上扩散磷（或硼）作为受光面。构成PN结后，分别在基底和光敏面上制作输出电极，涂上二氧化硅作保护膜，即成光电池。 结构示意图 符号 电极结构 为便于透光和减小串联电阻 3.2.1.硅光电池的基本结构和工作原理 硅光电池按基底材料不同分为2DR型和2CR型。 工作原理如下图所示 硅光电池的电流方程 光照特性有伏安特性、照度-电流电压特性和照度-负载特性。 3.2.2.硅光电池的特性参数 1.光照特性 特性参数主要有：光照特性、光谱特性、频率 特性、温度特性 式中，ID是结电流，I0是反向饱和电流，是光电池加反向偏压后出现的暗电流。 不同照度时的伏-安特性曲线一般硅光电池工作在第四象限。若硅光电池工作在反偏置状态，则伏安特性将延伸到第三象限 硅光电池电流方程式 当E=0时 硅光电池的伏安特性，表示输出电流和电压随负 载电阻变化的曲线。 当RL=∞(开路)时，光电池的开路电压，以Uoc表示 当RL＝0 时所得的电流称为光电池短路电流，以Isc表示 实际应用时，都接负载， 光电池光照与负载的特 性曲线 在要求输出电流