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NANCHANG UNIVERSITY
毕业论文
THESIS OF THE FINAL
（2016—2017年）
（题目）
题 目：
学 院：
专业班级：
学生姓名：
学 号：
起讫日期：
宋体，小三号，居中目录
宋体，小三号，居中
摘要 Ⅰ
Abstract Ⅱ
第一章 GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”） 1
1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用 1
1. 2 III族氮化物的基本结构和性质 4
1. 3 掺杂和杂质特性 12
1. 4 氮化物材料的制备 13
1. 5 氮化物器件 19
1. 6 GaN基材料与其它材料的比较 22
1. 7 本论文工作的内容与安排 24
第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺 31
2. 1 MOCVD材料生长机理 31
2. 2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备 32
…………
目录内容：中文宋体，英文和数字Times New Roman，小四页码编号：摘要,Abstract使用页码
目录内容：中文宋体，英文和数字Times New Roman，小四
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参考文献（References） 138
致谢 150
节标题：中文宋体，英文
节标题：中文宋体，英文Times New Roman，四号居左
章标题：中文宋体，英文Times New Roman，四号居中
1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用
正文文字：中文宋体，英文Times New Roman，小四，两端对齐，段落首行左缩进2个汉字符
正文文字：中文宋体，英文Times New Roman，小四，两端对齐，段落首行左缩进2个汉字符，行距1.35倍（段落中有数学公式时，可根据表达需要设置该段的行距），段前0行，段后0行。
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