电子技术应用——模拟电子技术基础..pptVIP

2. 扩散电容 Cd ? Q 是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。 在某个正向电压下，P 区中的电子浓度 np(或 N 区的空穴浓度 pn)分布曲线如图中曲线 1 所示。 x = 0 处为 P 与 耗尽层的交界处 当电压加大，np (或 pn)会升高，如曲线 2 所示(反之浓度会降低)。 O x nP Q 1 2 ? Q 　　当加反向电压时，扩散运动被削弱，扩散电容的作用可忽略。 ? Q 　　正向电压变化时，变化载流子积累电荷量发生变化，相当于电容器充电和放电的过程 —— 扩散电容效应。 图 1.1.12 P N PN 结 综上所述： PN 结总的结电容 Cj 包括势垒电容 Cb 和扩散电容 Cd 两部分。 Cb 和 Cd 值都很小，通常为几个皮法 ~ 几十皮法， 有些结面积大的二极管可达几百皮法。 当反向偏置时，势垒电容起主要作用，可以认为 Cj ? Cb。 一般来说，当二极管正向偏置时，扩散电容起主要作用，即可以认为 Cj ? Cd； 在信号频率较高时，须考虑结电容的作用。 1.2 半导体二极管 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型 图1.2.1二极管的几种外形 1 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 1.2.1半导体二极管的几种常见结构 PN结面积小，结电