经典传感器技术.PPT

第三章 经典传感器技术 b) 压阻式压力传感器 c) 压阻式传感器处理电路 1.1. 3 电容式压力传感器 1.2 加速度传感器 1.2.2 微型结构 1.4. 1 霍尔磁传感器 1.4. 2 磁阻式传感器 1.4. 3 磁通门传感器 b) 传感器电路： M M c) 问题： 温度性能差 翻转效应的影响 d) 解决方法： 铝补偿磁场带 铝置位/复位带 铁镍合金电阻 He1= Hx + Hmsinωt （实线） He2= Hx - Hmsinωt （虚线） Hs B H (b) Hx ωt (c) ωt u (f) u ωt (e) ωt B (d) 2π π u + – 被测磁场 Hx 激励线圈 测量线圈 a) 原理 b) 电路 激励电源 选频放大 相敏整流 C1 输出电压 C2 Uo ①开环电路： ②闭环电路 激励电源 选 频 放 大 相 敏 整 流 积 分 器 Rf C1 输出电压 C2 Uo Rc 直流电阻 Hx N:线圈匝数 l:线圈长度 骨架 铁心 测量线圈 激励线圈 c) 结构 激励线圈 测量 线圈 ie + – u ie + – u ie + u – ie + – u 基 片 铁心 绝 缘 层 金属2 金属1 金属1 过孔 （b）：平面螺线管 线圈 铁心 铁心 绝缘层 基 片 （a）：平面线圈 d) 微型结构 ① ② ③ ④ ①测量线圈 ②激励线圈 ③反馈线圈 ④铁心 铁心 基 片 铁心 激励线圈 测量线圈 激励线圈 绝缘层 SiO2 e) 数字式磁通门 1.4. 3 LIGA 技术 表示深度 X 射线光刻、电铸和塑铸 LIGA：德文 Lighografie , Galvanofomung, Abformung 的缩写 3个重要环节 塑铸复制： 向金属模腔填入塑料，脱模得到塑料模具。 用塑料模具可大量复制金属或非金属材料的微结构元件。 X射线光刻： 将掩膜图形复制很厚的光刻胶上，刻蚀出大高宽 比（一般大于100） 、精度为亚微米的光刻胶图形。 电铸成型： 将金属沉积在光刻胶图形的空隙里，成金属模腔 准 LIGA 技术 紫外光 ( UV ) LIGA 、深等离子体刻蚀、激光（ laser ) LIGA LIGA 技术优点突出，但存在问题： X 光源，需要复杂、昂贵的同步加速器 掩膜板本身就是 3D 微结构，需先用 LIGA 技术制备 可用的光刻胶种类少 工艺复杂，成本高 LIGA 技术的发展受到限制，阻碍了它工业化应用的进程。 解决办法：准 LIGA 技术（或 LIGA 技术的变体） 取代昂贵的 x 光源和特制掩膜板，开发新的三维微加工技术 限制：只适用于对垂直度和深度要求不太高的微结构加工。 紫外光 ( UV ) LIGA 使用铬掩模板，紫外光源 对光刻胶曝光 主要工艺： 厚胶的深层 UV 光刻 图形中结构材料电镀 主要困难：稳定、陡壁、高精 度厚胶模的形成 适用光刻胶：SU-8负性胶 AZ4562胶 烘烤量大时，难以除去 SU-8问题：存在张应力 电镀衬底：有时叫种子层 1.5 图像传感器 1.5.1 CCD器件 a) 电荷转移原理 Charge Couple Device 电子的迁移率空穴的迁移率 b) 结构 n型CCD: 以电子为信号电荷 p型CCD: 以空穴为信号电荷 n型CCD工作频率高 缺点： 时钟驱动电路比较复杂 优点： 两个电荷包之间有双重势垒相隔，转移效率提高 操作方式较适合很高的时钟频率（例如１００MHz） c) 注入 光注入电荷量为： d) 检测 材料的量子效率 电子电荷量 入射光的光子流速率 光敏单元的受光面积 光注入时间 单沟道线型CCD e) 线型CCD摄像器件的两种基本形式 双沟道线型CCD f)面阵CCD摄像器件 g) 彩色线阵CCD摄像器件 g) CCD摄像器件的应用 1.5.2 CMOS图像传感器 行选通 译码器 像素感光阵列 列选通 译码器 定时 控制 电路 模拟信号处理器 模数转换器 读出译码器 存储器 a) 原理 CMOS像素阵列是二维可编址传感器阵列 b) CMOS图像传感器 有源像素 主动式传感器（APS） 无源像素被动式传感器（PPS） passive pixel sensor active pixel sensor 光敏二极管型 光栅型 对数响应型 DPS (digital pixel sensor) PPS像素结构图 它是由光敏二极管，复位管M4，源跟随器M1和行选通开关管M2组成，此外还有电荷溢出门管M3，M3的作用