微电子工艺光刻.pdfVIP

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2019-05-01 发布于山东
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微电子工艺光刻.pdf

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第八章光刻 §8.1 引言 Wafer fabrication (front-end) Wafer start Thin Films Polish Unpatterned wafer Completed wafer Diffusion Photo Etch Test/Sort Implant 关键步骤一、光刻技术的特点 1、光刻是将电路/器件图形转移到半导体的表面形成光刻胶图形； 2、光刻是复印图象和化学作用相结合的综合性技术； 3、器件的尺寸越小，集成电路的集成度越高，对光刻精度的要求就越高，难度就越大。 4、光刻与芯片的价格和性能密切相关。光刻成本占芯片制造成本的近1/3。二、对光刻的基本要求高分辨率；高灵敏度；低缺陷；精密的套刻对准。线宽间距光刻胶厚度 Substrate 关键尺寸（CD ）：最小的特征尺寸。CD常用作描述工艺技术节点或称某一代。分辨率：区分Si片上两个邻近图形的能力。高的分辨率需要将曝光波长减小到与CD几乎一样大小。 UV Wavelength Wavelength UV Emission Source (nm) Name 436 g-line Mercury arc lamp 405 h-line Mercury arc lamp 365 i-line Mercury arc lamp Mercury arc lamp or 248 Deep UV (DUV) Krypton Fluoride (KrF) excimer laser 193 Deep UV (DUV) Argon Fluoride (ArF) excimer laser 157 Vacuum UV (VUV) Fluorine (F ) excimer laser 2 Visible Micro- Gamma rays X-rays UV Infrared waves Radio waves 22