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第十七章 离子注入 什么是掺杂？例举四种常用的掺杂杂质并说明它们是n型还是p型。（15分） (1)掺杂是把杂质引半导体材料的近体结构中，以改变它的电学性 质（如电阻率）,并使掺入的杂质数量和分布情况都满足要求。 (2)常用的掺杂杂质：硼（p 型）、磷（n 型） 、锑（n 型）、砷（n 型） 。 什么是结深？（10分） 硅片中 p 型杂质和 n 型杂质相遇的深度被称为结深 例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。（15分） 硅中固态杂质 扩散的三个步骤： (1)预淀积:表面的杂质浓度浓度最高，并随着深度的加大而减小， 从而形成梯度。 这种梯度使杂质剖面得以建立 （2）推进:这是个高温过程，用以使淀积的杂质穿过硅晶体，在硅片中形 成期望的结深 (3)激活:这时的温度要稍微提升一点，使杂质原子与晶格中的硅原 子键合形成替位式杂质。这个过程激活了杂质原子，改变了硅的电导 率。 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。（20分） 离子注入的优点： (1)精确控制杂质含量和分布 （2）很好的杂质均匀性 （3）对杂质穿透深度有很好的控制 （4）产生单一离子束 （5） 低温工艺 （6）注入的离子能穿透薄膜 （7）无固溶度极限 点： （1）高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤 设备的复杂性 例举离子注入设备的5个主要子系统。（15分） （1）离子源：待注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。 注入离子在离子源中产生 （2）注入 离子注入的缺（2）引出电极（吸极）和离子分析器：传统注入机吸极系统收集离 子源中产生的所有正离子并使它们形成粒子束， 离子通过离子源上的 一个窄缝得到吸收。 （3）加速管：为了获得更高的速度，出了分析器磁铁，正离子还要再加速管中的电场下进行加速 （4）扫描系统扫描在剂量的统一性和重复性方面起着关键租用。 （5）工艺室------离子束向硅片的注入发生在工艺腔中。 离子源的目的是什么？最常用的离子源是什么？（15分） 目的：使 待注入的物质以带电粒子束的形式存在 子源和 Bernas 离子源 解释离子束扩展和空间电荷中和。（10分 由于电荷之间的相互排斥， 所以一束仅包括正电荷的离子束本身是 不稳定的， 容易造成离子束的膨胀即离子束的直径在行进过程中不断 的增大，最终导致注入不均匀。离子束可以用二次电子中和离子的方 法缓解，被称为空间电荷中和 最常用的源：Freeman 离子源。 Fablite： 介于 FABLESS 和 IDM 之间 Chipless：无切屑 第十三、十四、十五章 光刻 解释正性光刻和负性光刻的区别？（第十三章）为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？（第十五章）（10分） 1.正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上，负性光刻把与掩 膜版上图形相反的图形复制到硅片表面， 这两种基本工艺的主要区别 在于所用的光刻胶的种类不同。 正刻胶在进行曝光后留下来的的光刻 胶在曝光前已被硬化，它将留在硅片表面，作为后步工艺的保护层，不需要改变掩膜版的极性，并且负性光刻胶在显影时会变形和膨胀， 所以正胶是普遍使用的光刻胶传统的 I 线光刻胶，深紫外光刻胶 2.解释什么是暗场掩模板。（第十三章）（5分） .暗场掩膜版是指一个掩膜版，它的石英版上大部分被铬覆盖，并且不透光 3.例出光刻的8个步骤，并对每一步做出简要解释。（第十三章）（15分） 第一步：气相成底膜处理，其目的是增强硅片和光刻胶之间的粘附性。 第二步：旋转涂胶，将硅片被固定在载片台上，一定数量的液体光刻胶滴在硅片上，然后硅片旋转得到一层均匀的光刻胶图层 。第三步：软烘，去除光刻胶中的溶剂。第四步：对准和曝光，把掩膜版图形转移到涂胶的硅片上 第五步：曝光后烘培，将光刻胶在100到110的热板上进行曝光 第六步：显影，在硅片表面光刻胶中产生图形后烘培 。第七步：坚膜烘培，挥发掉存留的光刻胶溶剂，提高光刻胶对硅片表面的粘附性 。 第八步：显影后检查，检查光刻胶图形的质量，找出有质量问题的硅片，描述光刻胶工艺性能以满足规范要求 4.在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？（第十三章）（5分） 一，将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中 工艺中，保护下面的材料二，在后续伸展到整个硅片表面得到均匀的光刻胶胶膜覆盖层5.例举并描出旋转涂胶的4个基本步骤（第十三章）（5分） 1，分滴，当硅片静止或者旋转得非常缓慢时，光刻胶被分滴在硅 片上 2，旋转铺开，快速加速硅片的旋转到一高的转速使光刻胶 3，旋转甩掉，甩去多余的光刻胶，在硅片上 4，溶剂挥发，以固定转速继续旋转已涂胶的硅片，直至溶剂挥发，光刻胶胶膜几乎干燥 6.描述曝光波长和图像分辨率之间的关系（第十四章）（5分） ?减少曝光光源的波长对提高