第四章 材料的电学能(二).pptVIP

§4-3 影响金属导电性的因素 晶体点阵的不完整性是引起电子散射的原因，而电阻来源于晶体对自由运动电子的散射，因此电阻具有组织结构敏感性，温度、形变（应力）、合金化、杂质均能影响金属导电性。 一、温度的影响 金属：温度T↑→ρ↑。 原因:T↑对有效电子数和电子平均速度几乎没有影响； 但T↑ →离子振动加剧，热振动幅度↑，原子无序度↑，周期势场涨落↑ →电子运动自由程l↓，散射几率P↑。 在熔点以下，金属的电阻率 随温度变化的一般规律如右 图所示。 TΘD时,ρ∝T; TΘD时,ρ∝T5; T→0时,ρ→ρ’。 （理论上T→0 ,ρ∝T2→0） 形成ρ’的原因： 点阵畸变造成的残留电阻引起的，电阻率ρ’为一常数。有些金属，如Pb,Sn,Hg等在温度接近绝对零度以上的某一临界温度Tc， ρ→0，这种现象称为超导现象。 . 金属熔化时，由于原子排列规则性遭到破坏,一般，电阻升高1.5-2倍。 . 根据金属电阻率-温度曲线可知，在0℃以上至熔化温度之前，在t℃下，电阻率-温度关系可表示为： ρt=ρ0（1+αt） 电阻温度系数α=(ρt- ρ0)/ ρ0 t (℃-1) =(dρ/dt)(1/ρ) (℃-1) 二、冷加工和静压力的影响 冷加工→晶体点阵畸变，晶体缺陷↑→