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第一章緒論
1.1 染料敏化太陽能電池簡介
1.1.1 染料敏化太陽能電池發展和回顧
半導體染料敏化技術最早可以回溯到19世紀末的攝影顯像術,應用在
photography 上的鹵化銀能隙為2.7~3.2eV ,沒辦法有效的吸收大於460nm波長的
光能。1883 年Vogel藉由染料敏化後的鹵化銀感光乳劑,利用染料分子去捕捉可
見光區的光能,有效地將底片的響應光譜擴大到紅光及紅外光範圍,為染料敏化
1 2 3-5
技術 。1965 年到1968 年,Namba和 Hishiki ,Tributsch和 Gerischer 等人利
用氧化鋅作為吸附染料的半導體。在 1980 年後Brad 等人開始探討半導體薄膜上
-2 -3
面的染料敏化性質,發現 metallophthlocyanines在 TiO 及 WO 上有10 ~10 的
2 3
6
光電轉換效率 。Gleria和 Memming 兩人首次將ruthenium polypyridine complexes
7,8
和高能隙的 SnO 搭配 ,Clark和 Sutin則選用 TiO 作為吸附染料的半導體材
2 2
9
料 。由於此時的研究主要都集中在平東電極上,染料對半導體表面的附著較差
(大部分為物理吸附),故半導體僅能吸附一層染料分子,且由於相對表面積較小,
半導體表面單層染料分子無法有效捕獲光能,因此光電轉換效率大約都在0.1%
以下。但是若將染料層變厚( 多層吸附) ,則內層染料分子會阻礙外層染料的電子
轉移過程,反而會增 加系統的電阻,卻無法增加光電流,光電轉換效率始終在
1%以下,這也是20世紀 90 年代以前限制染料敏化太陽能電池發展的主因之一。
1991 年瑞士洛桑工科大學的M. Gratzel利用了奈米粒二氧化鈦半導體薄膜電
極有效地提升可吸附的表面積,克服了電極因為吸附表面積小而造成光捕獲效率
差的缺點。以10nm的二氧化鈦奈米粒薄膜為例,其總表面積可增函 2000倍以
1
上。1991 年M. Gratzel 將金屬釕錯合物染料吸附在奈米粒二氧化鈦薄膜上,製成
電池,其光電轉換效率高達 7.1% ,也因此種染料敏化太陽能電池的成本低廉、
製備簡單,便開始吸引眾多研究者的目光,近年來更被視作下一代太陽能電池的
代表。
1.1.2 染料敏化太陽能電池之工作原理及組成架構
染料敏化太陽能電池為三明治的結構,其基本組成結構包含了:(1) 透明導
電氧化物 (transparent conducting oxide, TCO) / 多孔性TiO2奈米薄膜
(nanocrystalline semiconductor)作為工作電極 (2)光敏染料(photosensitizer) (3)電
解質 (electrolyte) (4)鉑對電極(Pt counter electrode) 。
電子在 DSSC各界面的傳遞過程如圖 1.1所示。圖中 ①~⑤為工作機制,⑥~
⑧為損耗機制。①染料分子以化學鍵的方式吸附於多孔性無機TiO 半導體薄膜,
2
當其吸收光能後,染料上的電子會從基態躍升至激發態;②染料激發態的電子迅
速注入 TiO 之導帶(conduction band, CB) ,而形成染料正離子(S+) ;③TiO 導帶
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