甘肃政法学院数字逻辑与分析课件第八章 可编程逻辑器件.ppt

随机存取存储器（RAM） 实验目的 实验原理 实验内容 实验仪器与器件 实验报告要求 实验目的 ???? 熟悉RAM的工作原理及使用方法。 ?? 掌握RAM存储器2114的应用。 熟悉RAM的结构和操作过程； 了解RAM的扩展方式。 重点与难点： 重点：RAM的结构、工作原理和存储单元； 多片RAM的扩展。 难点：6管CMOS静态存储单元的存储原理。 一、 实验原理 在算机及其接口电路中，通常要存储二进制信息。存储器有RAM、ROM，RAM又分为静态的SRAM和动态的DRAM，2114是存储器容量为1K*4位的静态SRAM。它由三部分组成：地址译码器、存储矩阵和控制逻辑。地址译码器接受外部输入的地址信号，经过译码后确定相应的存储单元；存储矩阵包含许多存储单元，它们按一定的规律排列成矩阵形式，组成存储矩阵；控制逻辑由读写控制和片选电路构成。 RAM 2114的工作电压为5V，输入、输出电平与TTL兼容。2114的引脚图如图2.11.1所示，其中A0~A9为地址码输入端。R/为读写控制端，I/Q0~I/Q3是数据输入输出端，为片选端，当它为1，芯片未选中，此时数据输入/输出端呈高阻状态。当片选端为0，2114被选中，如果读写控制端为高电平，则数据可以由地址A0~A9指定的存储单元读写；如果读写控制端为低电平，2114执行写入操作，数据被写入到由地址A0~A9指定的存储单元。RAM 2114的功能见表2.11.1。对于RAM的读写操作，要严格注意时序的要求。 读操作时，即首先给出地址信号A0~A9，然后使片选信号有效，再使得读控制有效，随后数据从指定的存储单元送到数据输出端。对2114进行写操作的时序是：先有地址信号，再有片选信号，随后使写入的数据和写信号有效。 Vcc A7 A8 A9 I/Q0 I/Q1 I/Q2 I/Q3 R/W 18 17 16 15 14 13 12 11 10 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 /CS GND 2114 图 2.11.1 2114的管脚排列图 /CS R/W I/O 工作模式 1 X 高阻 未选中 0 0 0 写0 0 0 1 写1 0 1 输出 读出 表 2.11.1 2114功能表 RAM的存储单元 一、静态随机存取存储器（SRAM） 的存储单元电路 1．存储单元 2．列选择线Y和读／写控制电路 二、动态随机存取存储器 (DRAM)的 存储单元电路 集成随机存储器2114A、2116介绍 一、集成静态存储器2114A 二、集成动态存储器2116 RAM的扩展 一、RAM的位扩 二、RAM的字扩展 三、RAM的字、位扩展 实验内容及步骤