铝及其合金的高压阳极沉积工艺研究-有色金属冶金专业毕业论文.docxVIP

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  • 2019-05-06 发布于上海
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铝及其合金的高压阳极沉积工艺研究-有色金属冶金专业毕业论文.docx

昆明理J人学/i,)i 昆明理J人学/i,)i i.论迁 摘璺 摘 要 本论文在分析了国内外文献的基础ji,对高电胍阳极沉积丁艺技术的研究现 状、1二艺特点、应用前景及研究意义进行r综述,并对阳极沉积所涉及的理论耀 础知识进行’r概括。 在实验研究部分中,分别做r纯铝在复合有机酸·f]的高压Ⅲ檄沉积T艺实验 及LYl2铝合金在复合有机酸+Na。wO。+抑弧剂中的高压、大电流阳极沉积1_=艺实 验。差要研究了电解液成分、峰值电流密度及氧化时问对成膜T艺及膜层性能的 影响,通过实验找出了能制得优异膜层的条件。对4i同实验条件卜-制备的沉积膜 层进行r膜层的x射线衍射、扫描电镜及电子能谱分析,并在以上基础上仞步探 讨了铝及其合金的高电压、大电流阳极沉积_[艺的机理。 实验研究和理论分析表明,对纯铝在混合有机酸中的高压、大I电流阳极沉积 工艺而言,在复合酸浓度为1~59/L,初始电流密度为12A/din2到24A/dm2,氧化 时间大于20分钟但小于50分钟的范围内均能形成光滑、均匀致密且具有较高显 微硬度及厚度的膜层。低浓度的复合酸浓度有利于快速生成高硬度的膜层,当酸 浓度增大时,所需氧化时间延长,同时不利于生成高硬度的膜层。适当增加峰值 电流密度,有利于提高所得膜层硬度。但峰值电流密度增高,对膜层的溶解也加 剧,最高峰值电流密度不应超过24A/din2。随氧化时间的延长,膜层硬度提高, 膜厚也增加,但氧化时间超过40分钟以后,膜层厚度的增加速度减慢,-).t-}1{有降 低的趋势。对LYl2铝合金的高压、大电流阳极沉积而言,电解液中的复合酸是£ 要成膜物质,NazWO。所起的作用是均匀膜层表而的电流分布,添加剂1i要作刚就 是抑制弧光的产乍。最佳的电解液组成为:混合有机酸4~89/I。,№!w()。(1.2~ u.39/L。,添)J rl剂0.2~0.:_lg/l。较高的初始电流密度囱|利于获得显微硬度较『:o的膜 层,同时膜层厚度也随着增人,但当初始电流密度人于I 7.HA/dml以J—i,氧化时问 较短就被击穿,阕而膜层厚度反而降低。较有利的电流密度应摔制神:㈨:卜一 9.2.2A/dm2之间。随氧化时间的延长,膜层显微硬度及厚度都增大,们当氧化时f.J 夫于4()分钟后,膜层厚度增加缓慢。甚至有降低的趋势。最件氧化时IHjj市打]30~ 4(1分钟之间。 纯铝在复合酸中形成膜层的XRD显示,膜层罕非晶态结构,其t}t的物,ht{:要 宵A1(O}I)。、A100tl及Al:0,等。表面的sEM显示,何许彩小孔及【六f内心力m J易成的 裂纹,这些部位形成活性点,沉积反应优先n:此发忙。截而的跳Ⅵ显永,;填疑是 7 铝及其合金的高压鼬极沉积1.艺研究单层非多孔层结构,由许多层的菱形柱状物以互相交错的方式从基体一氲堆积到 铝及其合金的高压鼬极沉积1.艺研究 单层非多孔层结构,由许多层的菱形柱状物以互相交错的方式从基体一氲堆积到 膜层表面,膜层1j基体的界面上氧化膜与基体肇犬习二交错,紧密相连,仃牢崮的 结合形式。电子能谱分析表明,膜层主要元素Al及0的原予比随成膜趋于完整而 增大。LYl2铝合金的高压、火电流阳极沉积工艺形成膜层所做的XRD图显示除 了包含纯铝在复合酸中形成膜层的化合物组成以外,还可能含有CuAl 10-及 Al。(wO。)。。膜层表面的SEM显示,同样存在作为成膜反应活性点的裂纹及,J,4L,但 孔径却比纯铝在复合酸中形成的孔径要大,同时表丽的孔隙率要低的多,较少的 孔隙率对膜层具有较高的硬度起了一定的贡献。截面的SEM显示,【。Y1 2合金所形 成的膜层是双层结构,内层厚度大于外层,但外层并不像常规阳极氧化膜的多孔 层。内层与基体、外层与内层之间呈犬牙交错,紧密相连,有牢固的结合形式。 膜层的电子能谱分析表明,膜层主要元素A1及0的原子比同纯铝在复合酸中形成 的膜层一样,随成膜趋于完整而增大。 对机理的探讨分析表明,膜层是由于在场致溶解和化学溶解作用下,氧化工 件溶解产生的Al”与吸附及电场吸引到工件表面的阴离子发生水合、水解及络合配 位反应,并在电场作用、焦耳热作用及应力作用等的综合作用下发生膜层的脱水 反应及电流在膜层中的传导。同时膜层的沉积优先在活性点上发生,由此一层一 层的交错堆积直至一定的厚度,以致表面的电场强度很弱不能吸引阴离子在表面 沉积为止,此时阳极膜层的溶解占优势,成膜速度也缓慢下来。 关健词:阳极沉积 铝及铝合金 高电压 大电流 昆明理I大学硕{。硷殳 昆明理I大学硕{。硷殳 摘要 ABSTRACll Research actU3.1 i t y,technologi e characteri sti e, appI icatioil rereground and res

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