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甘肃政法学院计算机科学学院数字逻辑课件第七章 半导体存储器.ppt

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清华大学电子工程系99-11-12 作者:清华大学电子工程系 罗嵘 * 第七章 半导体存储器 7.1随机存取存储器 7.2只读存储器 按功能,存储器分为: 只读存储器(READ-ONLY MEMORY,ROM) 随机存取存储器(RANDOM-ACCESS MEMORY,RAM) 顺序存取存储器(SEQUENTIAL ACCESS MEMORY,SAM) 7.1 随机存取存储器 在使用RAM时可以随时从任一指定地址取出(读出)数据,也可以随时将数据存入(写入)任何指定地址的存储单元中去。 优点:读写方便,使用灵活。 缺点:存在易失性,一旦断电所存储的数据便会丢失,不利于数据长期保存。 按存储单元的特性分为: SRAM:静态随机存储器 DRAM:动态随机存储器 地址译码器 存储矩阵 读/写控制电路 数据输入/输出 (I/O) CS 地址输入 7.1.1 RAM的结构及工作原理 RAM电路通常由存储矩阵、地址译码器和读/写控制电路三部分组成,见图1。 随机存取存储器(RAM)结构框图 SRAM的静态存储单元 六管NMOS存储单元 六管CMOS存储单元 存储矩阵:在译码器和读/写控制电路的控制下既可以写入1或0,又可以将所存储的数据读出。存储矩阵中的单元个数即存储容量 地址译码器:将输入的地址代码译成某一条字线的输出信号,使连接在这条字线上的存储单元或读/写控制电路接通,然后才能对这些单元进行读或写。 读/写控制电路:对电路的工作状态进行控制 片选输入端CS,读/写控制,输出缓冲电路 ,执行读操作,将存储单元里的内容送到输入/输出端上; ,执行写操作,输入/输出线上的数据被写入存储器; CS=1时RAM的输入/输出端与外部总线接通; CS=0时RAM的输入/输出端呈高阻态,不能与总线交换数据; 行地址译码器 存储矩阵 64?64 输入/输出电路 图2 2114的结构框图 列地址译码器 X0 X63 Y0 Y15 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A1 A2 A9 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 A0 G2 G1 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G10 G9 共有1024×4=4096个存储单元,排成64×64矩阵。 1024(=210),共有10个地址输入端A0~A9。 分成两组译码 I/O1~I/O4既是数据输入端也是数据输出端 =1时,门G1~G8禁止,将存储器内部电路与外部连线隔离,可以直接把I/O1~I/O4与系统总线相连使用。 =0, =0,G1~G4工作,G5~G8禁止,加到I/O1~I/O4上的数据被写入指定的四个存储单元。 =1, =0时,门G9输出高电平,使缓冲器G5~G8工作,门G10输出低电平,使G1~G4禁止,这时由地址码指定的四个存储单元中的数据被送到I/O1~I/O4,实现读操作。 7.1.2 RAM的扩展 ⒈位数的扩展 2 字扩展方式 如果每一片RAM中的位数已够用而字数不够用时,应采用字扩展方式(也称地址扩展方式)。 例2用四片256×8位RAM接成一个1024×8位RAM 256(=28),1024(=210),每一片RAM只有八位地址输入端,而1024为10位地址输入端,故需增加两位地址码A9、A8。 由于每一片RAM的数据端I/O1~I/O8都有三态缓冲器,而它们又不会同时出现低电平,故可将它们的数据端并联起来,作为整个RAM的八位数据输入/输出端。 图4 RAM的字扩展接法 A0 A1 256 × 8 RAM(1) I/O1 I/O8 A7 A0 A7 A8 A9 A0 A1 256 × 8 RAM(2) A7 A0 A1 256 × 8 RAM(3) A7 A0 A1 256 × 8 RAM(4) A7 A1 2-4线译码器 图4中各片RAM电路的地址分配 7.1.3 RAM的时序问题 为保证存储器的正常工作,必须满足读、写周期的时序要求,即各信号之间的时间关系。 以2114(1024×4)RAM为例 读周期 地址A0~A9 数据输出 输出有效 tRC tA tCO tCX tOHA tOTD 地址有效 写周期 地址A0~A9 数据输出 tWC tW tOTW tAW tWR 地址有效 tDW 数据输入 输入有效 tDH 7.2 只读存储器(READ-ONLY MEMORY,ROM) 各种存储器中结构最简单的一种。在正常工作时它存储的数据是固定不变的,只能读出,不能随时写入,故称只读存储器。 分类: 使用的器件类型: 二极管ROM 双极型三极管ROM MOS管ROM 数据的写入方式: 固定ROM:无法更改,出厂时已定 可编程ROM(PRO

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