面向产业化的高方阻密栅电池性能研究-集成电路专业毕业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 上海交通大学 学位论文原创性声明 本人郑重声明:所呈交的学位论文《面向产业化的高方阻密栅电 池性能研究)) ，是本人在导师的指导下，独立进行研究工作所取得的 成果。除文中己经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或 集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个 人和集体，均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法 律结果由本人承担。 学位论文作者签名:抖 日期: t舟。年士月仇日 上海交通大学硕士学位论文 上海交通大学硕士学位论文 面向产业化的高方阻密栅电池性能研究 摘 要 高效低成本晶体硅电池是光伏产业发展的方向，目前量产的高效 电池大多采用了高方阻扩散工艺，其目的就是为了降低发射结表面浓 度，有效降低电池表面复合速度，进而提高器件少数载流子寿命，以 及电池的短波方向光谱响应，这是在不增加生产成本基础上，获取高 效电池的最有效的途径之一。浅结高方阻扩散工艺对后道制成，尤其 对烧结窗口、浆料等的要求非常高，且工艺稳定性也是极大的挑战。 本论文试图从高方阻低浓度深结方面，对高方阻发射结电池性能以及 后续工艺兼容稳定性方面进行深入探讨。 本论文主要涉及晶体硅太阳电池光电转换效率的工艺优化，特别 是针对高发射结方阻高效晶体硅电池，后道工序的相关兼容性等。出 于对电池性能稳定性方面的考虑，我们采用了深结高方阻方式，在高 方阻密栅线后道工艺的匹配性方面，以及电池表面后续钝化工艺优化 方面，我们做了大量工艺对比试验。在保持后道工序不变的情况下， 发射结表面方块电阻提高的前提下，电池的串联电阻Rs将会随之增加， 这将导致填充因子FF的降低，最终导致电池效率的降低。因此，为了 有效降低串联电阻，我们重新设计了电池正面栅线，并进行了大量有 关正电极银浆的实验；为了充分发挥高方阻发射结电池的优势，在现 有量产线上对表面钝化层进行了深入研究。论文的最终目的就是通过 高方阻栅线优化、表面钝化工艺、及正面电极浆料的筛选，有效提高 电池的各项性能参数，进而提高电池片的光电转换效率。 本论文的研究方向就是通过电池正面发射结优化来改善电池短波 响应，进而提升电池开路电压(Voc)和短路电流(Isc)。并通过后续工艺 的优化，使得发射结性能的提升得到有效的保障。但是这种方案的有 I 效实施，需要后续众多工艺的协调，本论文着重从以下几个方面来开 展研究：1、结合现有设备工艺条件，逐步优化发射结扩散工艺及方阻 大小，得到兼容于现有常规生产设备的扩散工艺；2、优化表面钝化对 电池性能的影响，提高电池表面的钝化质量，降低发射结表面复合速 度非常重要；3、优化栅线下发射结方阻；4、优化不同浆料下的电池 性能，本论文在不同方阻条件下，以及不同浆料条件下的电池性能进 行了全面分析，不管是在哪种发射结方阻条件下，与其他公司的正电 极浆料相比，17A浆料烧结得到的Rs，不管是在测试结果的离散性还 是测试值的大小方面，都有着比较明显的优势；5、优化烧结温度对电 池性能的影响：在现有进口Baccini丝网印刷线及Despatch烧结炉基础 上，开发适用于高方阻的丝网印刷工艺，及较优的高方阻电池烧结工 艺；方阻越高，需要越密的栅线与之配合，才能发挥出高方阻低表面 浓度的优势，这其中有两个难点，其一是高方阻均匀性的控制，其二 是银浆的选择，需要综合考虑银浆的导电特性、粘度等，使之适合密 栅高方阻的印刷烧结。 为了更进一步优化正面68栅线，高方阻电池的烧结性能，我们对 后道烧结工艺进行了大量实验，主要是对影响浆料与发射结接触的高 温段进行了大量实验优化工作。通过改变优化各段烧结工艺，我们发 现电池性能有着比较明显的改善效果,获得了高达635mV的开路电压， 短路电流Isc 5.817A，均值18.67%的电池效率。基本达到我们本实验的 最初设计结果。 关键词：高效晶体硅电池、高方阻发射结、密栅线、 双层钝化、高温烧结 II RESEARCH ON HIGH RESISTANCE and Dense EMITTER SOLAR CELL FOR MASS PRODUCTION ABSTRACT High Efficiency and cost Effective silicon solar cell is the developing trend in PV industry, lots of mass production high efficiency solar cell have adopted the high resistance emitter , It has the advantage of decreasing front surface recombination, and improving surface min