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- 2019-05-11 发布于上海
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华中科技大学硕士学位论文摘要
华中科技大学硕士学位论文
摘要
脉冲激光沉积技术(Pulsed Laser Deposition简称PLD)自20世纪60年代世界上出 现了第一台红宝石激光器起开始萌芽,一直比较缓慢地发展。直到1987年,高Tc超导 氧化物薄膜在贝尔实验室制备成功,PLD技术引起了人们的广泛关注并迅速发展起来。 这项技术较其他薄膜制备技术有激光能量高、薄膜的化学成分比与靶材一致、沉积速率 高、基片温度要求低等优点,因此成功的制备了多种铁电、压电等功能薄膜材料。
在PLD技术制备薄膜的过程中,会出现很多复杂而有趣的物理现象,因此人们开 始了针对PLD技术制膜机理的研究。20世纪90年代建立的S-N模型,是一个比较完整 t 地描述PLD制膜全过程,具有突破意义。本j皋翠组近年来曾用此技术成功的制备了KTN 薄膜,并由此展开了对制膜机理的研究,建立的Zhaag--Li模型对激光烧蚀靶材过程、 等离子体在空间的膨胀和薄膜沉积特性进行了详细的研究,建立了一套比较完整的理论 来描述PLD的物理过程。
j本文在原有Zhang--Li模型的基础上,首先利用有限差分法求解了等离子体膨胀的 动力学方程,并运用了恰当的边界条件对产生的等离子体在空间的膨胀演化过程进行了 模拟,给出了在PLD技术制备KTN薄膜时烧蚀产生的主要粒子在空间的具体演化规律, 对等离子体在空间膨胀的物理机制,进行了深入的讨论;另外,揭示了等离子体羽辉在 膨胀过程中呈现椭球外形的原因。那是因为在膨胀的初始时刻,垂直于靶材方向上等离 子体的初始尺寸比平行靶材方向上的小几个数量级,而速度却大很多所导致的。
另外,国内外对于PLD技术中等离子体到达基片后,薄膜的生长过程研究的很少,因 此我们利用Monte Carlo方法建立了适用于描述PLD技术制膜过程中薄膜生长的模型,首 先确定了由于高能量粒子入射并与基片相互作用而产生的表面空穴等点缺陷的数量与激 光能量密度和基片温度的关系,进而揭示了基片温度、激光能量密度等重要工艺参数对薄 膜生长形貌和生长速率的影响,从而形成了一套更加完善的PLD制膜机理的理论框架。、o
关键词:壁翌塑些堡墼圭囊荃曼曼j箩膨胀避堕竺长
有限差分法- .- 蒙特卡罗方法一 一
华中科技大学硕士学位论文Abstract
华中科技大学硕士学位论文
Abstract
In 1960’,pulsed laser deposition technique appeared after the ruby laser Was produced,but developed slowly because ofthe limiting oflaseL ha 1987,high-Tc superconducting thin films have been prepared in the Bell laboratory,∞the PLD technique attracted more attention to develop quickly.The PLD technique has SO many advantages,such as high pulsed laser
energy density,similarity between target and prepared thin film components,the high
deposition rate and lower substrate temperature.In last two decade years.varieties of functional thin films have been deposition by PLD technique.
There are so many complex phenomenon in the process of films prepared by PLD technique,SO people have carried out the research in this field.Only some theoretical models have been proposed to study the mechanism of the PLD.Singh and Narayan made a
breakthrough to describe the whole dynamic process,but the more systematical study in this area was needed.Recenfly’a more integrated model has been proposed to simulate the intera
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