面向VCSEL的Al098Ga002As薄膜湿法氧化的研究.PDFVIP

第 33 卷 第 3 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 33 No. 3 2018 年 3 月 Journal of Inorganic Materials Mar., 2018 文章编号: 1000-324X(2018)03-0266-07 DOI: 10.15541/ji 面向 VCSEL 的 Al0.98Ga0.02As 薄膜湿法氧化的研究 1 1 1 1 1 2 林 涛 , 张天杰 , 李晶晶 , 郭恩民 , 宁少欢 , 段玉鹏 , 林 楠3 3 3 , 祁 琼 , 马骁宇 (1. 西安理工大学 电子工程系, 西安 710048; 2. 西北大学 物理学院, 西安 710069; 3. 中国科学院 半导体研究所, 光电子器件国家工程中心, 北京 100083) 摘 要: 为了系统研究 VCSEL 制作中的湿法氧化过程和机理, 设计了专门的材料结构并采用 MOCVD 技术进行外 延生长。对经过光刻和干法刻蚀形成的台面结构样品进行不同时间的湿法氧化, 由表面形貌及断面结构来确定氧化 程度。研究发现, 氧化时间较短时, Al0.98Ga0.02As 层的横向氧化深度随氧化时间呈线性变化; 随着氧化时间增加, 横 向氧化深度与氧化时间呈抛物线变化, 并渐趋于饱和。此外实验中发现 Al0.98Ga0.02As 层的湿法氧化速度可比 Al0.9Ga0.1As 层高一个数量级, 且 Al0.9Ga0.1As 层的湿法氧化速度随其层厚增加而增大。最后根据修正的一维 Deal-Grove 氧化模型计算了受限空间内 Al0.98Ga0.02As 层横向氧化深度随氧化时间的变化关系。 关 键 词: 垂直腔面发射激光器; 湿法氧化; 砷化铝镓; 金属有机化学气相淀积 中图分类号: TQ174 文献标识码: A Wet Oxidation Process to Al0.98Ga0.02As Layer for the Vertical-Cavity- Surface-Emitting-Laser Fabrications 1 1 1 1 1 LIN Tao , ZHANG Tian-Jie , LI Jing-Jing , GUO En-Min , NING Shao-Huan , 2 3 3