重庆大学数字电子技术课件 第7章.pptVIP

第七章 半导体存储器 主要内容 7.1 概述 7.2 顺序存取存储器(SAM) 7.3 随机存取存储器(RAM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.1 概述 7.1 概述 7.1 概述 第七章 半导体存储器 主要内容 ?7.1 概述 7.2 顺序存取存储器(SAM) 7.3 随机存取存储器(RAM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.2 顺序存取存储器(SAM) 第七章 半导体存储器 主要内容 ?7.1 概述 ?7.2 顺序存取存储器(SAM) 7.3 随机存取存储器(RAM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.3 随机存取存储器(RAM) 7.3 随机存取存储器(RAM) 7.3 随机存取存储器(RAM) 7.3 随机存取存储器(RAM) 7.3 随机存取存储器(RAM) 7.3 随机存取存储器(RAM) 7.3 随机存取存储器(RAM) 7.3 随机存取存储器(RAM) 第七章 半导体存储器 主要内容 ?7.1 概述 ?7.2 顺序存取存储器(SAM) ?7.3 随机存取存储器(RAM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.4 只读存储器(ROM) 7.4 只读存储器(ROM) 第七章 半导体存储器 【第七章 习题】 P273： 4，5，6 * 重大通信学院?何伟 * 定义：用半导体器件来存储二值信息的大规模集成电路； 特点：集成度高、体积小、可靠性高、外围电路简单且易于接口，便于自动化生产。 用途： ①计算机（内存、超高速缓存、外部数据存储器和程序存贮器等） ②某些数字系统（如数码相机） §7.1.1 半导体存储器的特点与应用 1. 按制造工艺分 ?双极型：速度快、功耗大、价格高，如作高速缓存； ?MOS 型：集成度高、功耗小、工艺简单、价格低，如作电脑内存。 2. 按存取方式分 ?顺序存取存贮器(SAM):只能有序访问，有FIFO和FILO两种,断电数据消失 ?随机存取存贮器(RAM):用地址访问任一单元，可读写,断电数据消失 ?只读存贮器(ROM):用地址访问任一单元，只可读，可长期保存数据 (固定ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Menory) 3．按接口方式分 ?并行存储器：一次存取一个字节； ?串行存储器：多次存取（串并转换）一个字节。 §7.1.2 分类 1．存贮容量 定义：存贮二值信息的多少，用Bit或Byte为单位。1K=1024=210 【例】：某存贮器容量是8 K Byte，表示有8×1024×8 Bit。 最大的109Bit/片，即128M Byte 3．存取时间 定义：连续两次读取（或写入）操作所间隔的最短时间。 时间越短，速度越高。最快的10ns §7.1.3 主要技术指标 1．SAM：顺序存取存贮器(Sequential Access Memory)，只能依次存取的存贮器，由移位型存贮器构成。 2．FIFO：先进先出存贮器(First-In First-Out)，可作数字式延时线。 3．FILO：先进后出存贮器(First-In Last-Out) ，用作堆栈或数据延迟。 4．动态存贮器：利用MOS管栅极与基片间的输入电容来存贮信息,由于有漏电,需要刷新操作。 5．刷新(再生)：为及时补充漏掉的电荷以避免存储的信息丢失，必须定时给栅极电容补充电荷的操作。 6．刷新时间：定期进行刷新操作的时间。该时间必须小于栅极电容自然保持信息的时间（小于2ms）。 本节只要求掌握如下概念： §7.3.1 RAM的结构 1．存贮矩阵 ①由存贮单元排列成行、列形式，每个单元存贮1Bit信息。 ②矩阵排列？是为了地址译码更简单。 2．地址译码器 3．片选与I/O控制电路 I/O──数据端，双向、三态输出 RAM(Random Access Memory):通过地址译码和读写控制，可随机访问任一存贮单元。 ──读、写控制端 ──片选端， 改错！ 1．静态存贮单元（SRAM） 存贮原理： 由FF自保功能存储数据，六