毕业论文：半导体物理课程设计-np型高效异质结太阳能电池的模拟.docVIP

武汉理工大学《专业课程设计3（半导体物理）》课程设计说明书 PAGE \* MERGEFORMAT1 目 录 TOC \o 2-4 \h \z \t 标题 1,1 1 技术要求 h 3 2 基本原理 h 3 2.1 pn结的形成 h 3 2.2 pn结的光伏效应 h 4 2.3 pn结的电流电压特性 h 5 2.3.1 开路电压 h 5 2.3.2 短路电流 h 5 2.4 光电转化效率 h 6 2.5 影响太阳能电池性能的因素 h 6 2.6 相关参数介绍 h 6 2.6.1 电子亲和势 h 6 2.6.2 状态密度 h 7 2.6.3 迁移率带隙与光学带隙 h 7 2.6.4 迁移率 h 7 3 参数描述 h 8 3.1 Afors-het软件 h 8 3.2各层基本参数的意义及选取 h 9 3.2.1 a-Si(n)层 h 9 3.2.2 a-Si(i)层 h 9 3.2.3 c-Si(p)层 h 10 3.2.4 其余相关参数设置 h 10 4调试过程及结论 h 11 4.1 本征层对电池性能的影响 h 12 4.1.1 本征层厚度的影响 h 12 4.1.2 本征层能隙宽度的影响 h 13 4.2 发射层厚度对电池性能的影响。 h 14 4.3 发射层厚度对光谱特性的影响 h 14 4.4 界面态的影响 h 15 4.5 调试结论 h 17 5 心得体会 h 20 6 参考文献 h 20 n/p型高效异质结太阳能电池的模拟 1 技术要求 利用Afors-het软件，通过参数的选取来实现高效率太阳能电池的设计。要求： （1）各层基本参数的选取及意义； （2）本征层参数变化对太阳能电池效率的影响； （3）发射层及界面态对太阳能电池性能的影响； （4）用Afors-het来进行模拟。 2 基本原理 2.1 pn结的形成 杂质半导体按照掺杂的杂质类型的不同可以分为p型半导体和n型半导体。 p型半导体主要掺杂的杂质为三价元素为主,而n型半导体主要掺杂的杂质主要以五价元素为主。所以二者在许多特性方面有着很大的不同。 在p型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，空穴是可以移动的，而电离杂质（离子）是固定不动的。n 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当p型和n型半导体接触时，在界面附近空穴从p型半导体向n型半导体扩散，电子从n型半导体向p型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有分布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区。p 型半导体一边的空间电荷是负离子，n型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面附近产生电场，此电场阻止载流子进一步扩散，产生电场与扩散两者产生的效果相当时，载流子分布达到平衡。如图1所示。 图1载流子达到平衡示意图 2.2 pn结的光伏效应 一块半导体中 p区与n区的交界面称为pn结。pn结受到光照时，可在pn结的两端产生电势差，这种现象则称为光伏效应。 当pn结受到光照时，样品对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子。但能引起光伏效应的只能是本征吸收所激发的少数载流子。因p区产生的光生空穴，n区产生的光生电子属多子，都被势垒阻挡而不能过结。只有p区的光生电子、n区的光生空穴以及结区的电子空穴对（少子）扩散到结电场附近时，能在内建电场作用下漂移过结。光生电子被拉向n区，光生空穴被拉向p区，即电子空穴对被内建电场分离。这导致在n区边界附近有光生电子积累，在p区边界附近有光生空穴积累。它们产生一个与热平衡pn结的内建电场方向相反的光生电场及光电流，其方向由p区指向n区，如图2所示。 图2 pn结受光照产生的光电流 此电场使势垒降低，其减小量即光生电势差。入射的光能就转变成了电能。pn结作电源的等效电路如图3所示。 图3 pn结作电源的等效电路 2.3 pn结的电流电压特性 与热平衡时比较，有光照时，pn结内将产生一个附加电流，即光电流Ip，其方向与pn结 反向饱和电流I0相同，一般Ip I0。此时 　　 I= I0e (qU/KT) - (I0+Ip) 　　 令Ip= SE，则 　　 I= I0e (qU/KT) - (I0+SE) 2.3.1 开路电压 PN结的开路电压Voc表示在光照下的pn结 外电路开路时，p端对n端的电压，即上述电流方程中I= 0时的U的值，令I= 0得到 0=I0 e (q U/KT) - (I0+SE) Voc= (KT/q) ln (SE+I0)/I0