六方相GaN的MOCVD外延生长-凝聚态物理专业毕业论文.docx

VI VI 四川大学硕士学位论文陈俊六方相 GaN 的问OCVD 外延生长 摘要 GaN 基 III 族氮化物由于其在从紫外到可见波段高效光电器件制作中的 成功应用而成为半导体材料研究领域的前沿课题之 -o 本文利用配有近垂直 入射激光反射在位监测的卧式 MOCVD 在 c 面蓝宝石衬底上生长六方相的 GaN 薄膜，围绕提高本征 GaN 外延层质量的目的，开展了具体如下的工作: (1) 在问OCVD 设备上搭建了一套单波长近垂直入射激光反射在位监测系 统，结合具体的生长过程，对在位监测曲线进行合理的解释。通过对在位监 测曲线的分析，确定 GaN 生长速率以及外延层的厚度，并利用监测曲线实时 标定缓冲层的厚度。对在位监测曲线进行量化分析，得到高温生长时 GaN 折 射率，及 GaN 生长过程表面粗糙度的变化，与 AFM 测试的结果比较吻合， (2) 以在位监测为辅助工具，研究了蓝宝石衬底氮化的影响。在大源流量 流下，研究了 GaN 缓冲层各生长参数的影响规律，发现对缓冲层生长影响显 著的条件有生长 v/m 比、生长温度、退火时的氨气流量。而缓冲层生长压力、 退火压力及退火时间的影响相对较小囚在小反应源气流下，发现对缓冲层生 长影响显著的条件包括生长 v/m t ，。生长压力，缓冲层厚度，退火时氮气流 量及退火速率 q 而 Ga 源流量，退火压力及的影响相对较小。以优化的缓冲层 生长条件得到质量有明显改善的 GaN 外延层， GaN 薄膜的 (0002)面双晶 DCXRDω 扫描的半高宽为 6arcmino (3) 研究缓冲层生长压力对缓冲层生长、外延层生长及形貌变化的影响。 发现缓冲层的生长压力变化对退火后缓冲层表团的状态影响极大，增大缓冲 层尘长时的反应室压力可以明显提高外延 GaN 的晶体质量和光学质量.通过 SEM 分析，发现提高缓冲层生长压力肘，高温 GaN 生长明显经历了从三维生 长到二维生长的过渡，晶体质量明显提高。发现高温生长前样品的表面状态 对随后生长的 GaN 生长机制及最终外延层中的位错密度有很大影响。缓冲层 退火后形成的粗糙的，成核密度低的表面最适于生长高质量的 GaN 外延层。 对于增大缓冲层生长压力提高 GaN 外延层晶体质量的可能机理做了解释。 四川大学硕士学位论文陈俊六方相 GaN 的问OCVD 外延生长 ABSTRACT III nitrides have become one of the forefront research t口piαin semiconduetor materials fields due to their successful applicatlon to fabricating of highly efficient optoe趾tronic devices operatlng in the ultraviolet and visible spectral r呵ions. In this thesis，we grow hexagonal GaN on c-plane sapphire substrate吉 in a horizontal MOCVD reaetor equipped with an in situ normal inciden臼refl配恒n四lTIonitoring，and the focus has been turned to improve the quality of unln?ntionally doped GaN epilayer. Lls?d below are the main contents of this thesis. A single-waveleng th normal inclden? refl配恒n? mon吐onng sy白rn was installed. A reasonable explanation has been found to explain the refleetance transitions in the monitoring curves. By means of quantltative analysis，we accessed growth rate and film thickness of GaN epilaye耳 and even determined in real time the thickness of bu仔er layer from in situ measurements of normal incldence reflec恼nce. By multi-proc理55 curve fitting of mon