计算机图形学第①章.pptVIP

一、开关电源损耗分析与减小的方法 （一）导通损耗分析 1.1 常规技术下变换器的损耗主要是开关管和输出整流器的损耗 1. 开关管的导通损耗； 2. 开关管的开关损耗。 MOS作为开关管时的导通损耗 其中的电压和电流均为有效值。 矩形波电流时占空比的关系 降低开关管的导通电压可以有效地降低导通损耗 1. 对于MOSFET而言，降低导通电阻可以有效降低导通损耗。 例如将IRF840换成IRF740可以将导通电阻从0.8Ω降低到0.55Ω，导通损耗可以降低40%以上； 如果采用CoolMOS的SPP07N06C3 （RDS（ON）=0.6Ω）替代IRFBC40（RDS（ON）=1.2Ω）导通损耗可以降低一半。 尽可能增加占空比可以降低导通损耗 在开关管额定电流相同的条件下。占空比为0.5的导通损耗是占空比0.4的导通损耗的80%、是占空比0.4的导通损耗的60%。 这种损耗的减少是在不增加成本和电路复杂性条件下通过改变工作状态轻而易举得到的。 常规技术下开关管的导通损耗比例 MOSFET作为开关管时，导通损耗一般占开关管总损耗的2/3； IGBT作为开关管时，导通损耗一般占开关管总损耗的1/3。 1.2 降低导通损耗的方法 选择合适的工作模式，尽可能的提高开关管的导通占空比； 选择导通电阻相对低的MOSFET； 降额使用，例如将可以输出250W的TOP250用于输出