半导体器件之pn结器件-0319..pptVIP

假设反偏PN结中由P型区进入耗尽区中x=0处的电子电流为In0，如下页图所示，由于雪崩倍增效应电子电流In在耗尽区中不断增加，在x=W处电子电流增加为： 雪崩倍增过程中流过PN结空间电荷区的电子电流和空穴电流变化关系如图所示。 倍增因子 在某一点x处的增量电子电流表达式可以写为： 其中， 与 分别为电子和空穴的电离率。 电离率：单位电子或单位空穴在单位长度内通过碰撞产生的电子-空穴对的数量 注意，电子的碰撞电离过程和空穴的碰撞电离过程都同时产生了电子和空穴，因而电子电流增量和空穴的电离率也有关系。 总电流在空间电荷区内保持不变，即： 假设电子和空穴的电离率相同，即： 可得到: 在整个空间电荷区内积分可得： 可以注意到： 使倍增因子达到无穷大的电压定义为雪崩击穿电压。因此产生雪崩击穿的条件为： 电离率是电场的函数，因此该式不是很容易计算，我们在特定条件下来计算击穿场强 假定有P+N结，其最大场强为： 耗尽区宽度xn可以求得： 注意，忽略了内建电势差，这代表着反向偏压较大时的情况 我们假定此时PN结击穿，因而反向偏压VR为击穿电压VB，则相应地最大场强Emax就是临界场强Ecrit，通过xn和Emax的表达式，我们可以求出： 其中NB为单边结中低掺杂一侧的掺杂浓度。 临界电场是掺杂浓度的函数 线性缓变PN结与单边突变PN结击穿电压的对比 雪崩击穿特点