第-9-章--半导体二极管和三极管..pptVIP

集电区 集电结 基区 发射结 发射区 N 集电极 C 发射极 E 基极 B N P P N 2. PNP 型三极管 　 　 C B E T 符号 (a)NPN型晶体管； N N C E B P C E T B IB IE IC B E C P P N E T C B IB IE IC (b)PNP型晶体管 C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 N N P 基极 发射极 集电极 B C E 发射区 集电区 基区 P 发射结 P 集电结 N 集电极 发射极 基极 B 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 9. 4. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 B E C N N P 发射结正偏、集电结反偏 PNP 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 从电位的角度看： NPN 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB EB RB EC RC 9.3. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 B E C N N P 发射结正偏、集电结反偏