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物理月刊廿四卷五期年月改良型高超同磊晶瑟夫李可欣正中立清大物理所一引言在高超性中缺陷扮演一重要的角色一方面缺陷可作磁面的扎中心提高界流密度另一方面缺陷也在超中形成弱降低界流密度晶界或是高超中最重要的缺陷它可被弱用作瑟夫元件起初晶界是利用多晶材料中自然形成的晶界方法然法重年展出晶基板晶界特是基板已定出半部晶方向的角超薄膜便成在此基板上形成界面然而此方式不易展作大型路另一作晶界的方式用磊晶藉由成中控制晶方向通常中不具有超性用以定晶方向而有些中的目的避免不同的化反提供晶格常的一般地薄膜成的基板度氧分和
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物理雙月刊(廿四卷五期)2002年10月
改良型高溫超導同質雙磊晶約瑟夫結
李可欣 齊正中
國立清華大學物理所
E-mail: cchi@phys.nthu.edu.tw
一.引言
在高溫超導電性中,缺陷扮演一個重要的角色,一方面缺陷可作為磁場面的釘扎中心,提高臨界電流密度;另一方面,缺陷也會在超導體中形成弱連結,降低臨界電流密度。晶界(grain boundary)或許是高溫超導體中最重要的缺陷,它可被視為弱連結並用來製作約瑟夫元件。
起初,晶界結(grain boundary junctio
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