哈工大--课件半导体物理(第二章)资料.pptVIP

第2章 半导体中杂质和缺陷能级 理想半导体： 1、原子严格地周期性排列，晶体具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。由本征激发提供载流子 ?本征半导体——晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。 第2章半导体中杂质和缺陷能级 实际材料中 1、总是有杂质、缺陷，使周期场破坏，在杂质或缺陷周围引起局部性的量子态——对应的能级常常处在禁带中，对半导体的性质起着决定性的影响。 2、杂质电离提供载流子。 §2.1半导体中的杂质能级§2.1.1 硅锗晶体中的杂质能级 （1）晶体中杂质的存在方式 杂质的来源 由于纯度有限，半导体原材料所含有的杂质 半导体单晶制备和器件制作过程中的污染 为改变半导体的性质，在器件制作过程中有目的掺入的某些特定的化学元素原子 杂质原子进入半导体晶体后， 以两种方式存在 一种方式是杂质原子位于品格原子间的间隙位置，常称为间隙式杂质（A） 另一种方式是杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，常称为替位式杂质（B） 两种杂质特点： 间隙式杂质原子小于晶体原子，如：锂离子，0.068nm 替位式杂质： 1）杂质原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较相近 2）价电子壳层结构比较相近 如：III、V族元素在硅、锗中均为替位式杂质 （2）施主杂质 V族元素在硅、锗中电离时能够释放电子而产 生导电电子并形成正电中心，称此类杂质为 施主杂质或n型杂质。 施主杂质向导带释放电子的过程为施主电离 施主杂质未电离之前是电中性的称为中性态或束缚态 电离后成为正电中心称为离化态或电离态 使多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的最小能量称为施主电离能，施主电离能为ΔED 被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级，记为ED，。 施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的n型半导体。 （3）受主杂质 III族元素在硅、锗中电离时能够接受电子而 产生导电空穴并形成负电中心，称此类杂质 为受主杂质或p型杂质。 §2.1.3 受主杂质 受主能级 受主杂质释放空穴的过程称为受主电离 使空穴挣脱束缚成为导电空穴所需要的最小能量称为受主电离能，记为ΔEA 空穴被受主杂质束缚时的能量状态称为受主能级，记为EA 受主杂质电离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴，使半导体成为空穴导电的p型半导体。 浅能级杂质：电离能小的杂质称为浅能级杂质。 所谓浅能级，是指施主能级靠近导带底，受主能级靠近价带顶。 室温下，掺杂浓度不很高的情况下，浅能级杂质几乎可以可以全部电离。五价元素磷（P）、锑（Sb）在硅、锗中是浅受主杂质，三价元素硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）、铟（In）在硅、锗中为浅受主杂质。 利用类氢原子模型，以锗、硅为例，计算施主杂质电离能 解：氢原子基态电离能 施主杂质电离能表示为 电子有效质量 杂质补偿：半导体中存在施主杂质和受主杂质时，它们的共同作用会使载流子减少，这种作用称为杂质补偿。在制造半导体器件的过程中，通过采用杂质补偿的方法来改变半导体某个区域的导电类型或电阻率。 1） ： 受主能级低于施主能级，剩余杂质 2） ：施主能级低于受主能级，剩余杂质 有效杂质浓度 补偿后半导体中的净杂质浓度。 当ND≈NA 高度补偿：若施主杂质浓度与受主杂质浓度相差不大或二者相等，则不能提供电子或空穴，这种情况称为杂质的高度补偿。这种材料容易被误认为高纯度半导体，实际上含杂质很多，性能很差，一般不能用来制造半导体器件。 深能级杂质：非Ⅲ、Ⅴ族杂质在Si、Ge的禁带 中产生的施主能级远离导带底，受主能级远离 价带顶。 杂质电离能大 能够产生多次电离，每次电离都对应着一个特定的能级。在禁带中引入多个能级。 具有两重性，既能电离提供电子又能电离提供空穴，所以既能引入施主能级又能引入受主能级。 深能级的形成 Ⅵ族杂质.多于两个价电子被两个正电荷的杂质中心束缚，类似于一个氦原子，其每个电子平均受到大于一电子电荷的正电中心的作用，从而深能级杂质的电离能比浅能级杂质要大。在电离出一个电子后，带有两个正电荷的杂质中心使第二个电子电离需要更大能量，对应更深的能级，所以Ⅵ族杂质在硅锗中一般产生两重施主能级，如锗中的硒、碲。 Ⅰ族杂质. 一方面可以失去唯一价电子产生一个施主能级，另一方面也能依次接受三个电子与周围四个近邻原子形成共价键，相应产生三个由浅到深的受主深能级。原则上Ⅰ族杂质能产生三重受主能级，但是较深的受主能级有可能处于允带之中，某些Ⅰ族杂质受主能级少于三个。 Ⅱ族杂质。与Ⅵ族杂质情况类似，可以产生两重