宜普eGaNFET应用已准备就绪第5阶段测试.PDFVIP

可靠性报告 第5阶段测试 宜普eGaN®FET应用已准备就绪： 第5阶段测试 EFFICIENT POWER CONVERSION 宜普电源转换公司质量及可靠性监控总监马艳萍博士 宜普电源转换公司的增强型氮化镓(eGaN ®)FET虽然与标准功率MOS - 已经提供了使用Senju M705-GRN360 锡 [13] 膏的典型回流焊曲线 。需要时使用的 FET很相像 ，但可以提供硅基器件无法提供的性能 [1] 。宜普eGaN FET 底部填充物是Loctite Hysol FP4549Si[8] 可 以 提 升 电 源 转 换 器 的 效 率 ，同 时 保 持 原 有 的 简 单 设 计[ 2 , 3 , 4 ] 。在 第 一 和Shin-Etsu SMC375X7 [9] 。 代eGaN FET和其第二代40V与100V产品推出后 ，宜普又在2011年 推 出 了 第 二 代 2 0 0 V 器 件 系 列 [ 5 ] 。所 有 第 二 代 产 品 都 是 无 铅 、无 卤 化 可靠性测试结果 物 且 符 合 有 害 物 质 条 例 ( R o H S ) 的 器 件 。宜 普 至 今 已 采 取 了 许 多 降 低 表1总结了第一代eGaN FET 的测试结果 产 品 失 效 风 险 的 措 施 ，包 括 在 各 个 应 力 条 件 下 对 超 过 1 8 0 0 个 器 件 作 ，表2 总结了第二代产品的测试结果 。 出 的 测 试 ，累 计 合 共 1 7 0 万 多 小 时 对 器 件 的 可 靠 性 测 试 。这 些 测 试 结 在最大额定温度下受应力测试的第一代 和第二代器件数量超过1 8 0 0个 ，其总 果证明我们已经作好准备去利用eGaN FET来代替之前于商用电源开 测试时间超过170万器件小时 。从所有 关应用中 ，被普遍使用但性能却受限的硅器件 。本应用笔记主要讨论 测试结果可以看到 ，在整个应力测试期 第 二 代 2 0 0 V 器 件 的 可 靠 性 测 试 结 果 ，于 第 四 阶 段 报 告 之 后 所 完 成 的 间 ，我们的器件电气参数都保持稳定 。 其它新测试 [13] ，以及根据应力测试计算器件的失效率 。 在宜普公司网站上可看到第一阶段至第 四阶段的测试报告 ，详尽记录eGaN FET 测试结果和分析[10 ，11 ，12 ，13] 。我们将在 以下文章讨论测试第二代200V 产品所取 可靠性测试概述 在应力偏置测试完成后 ，我们使用直 得的最新结果和从