纳米―微米复合图形化衬底和其在半导体异质外延上应用.docVIP

纳米一微米复合图形化衬底和其在半导体异质外延上应用 ：报道了一种新型的纳米微米复合的蓝宝石图 形化衬底，采用dipcoating的方法在微米级Si02半球阵列 表面静电自组装一层Si02纳米球，形成了适合纳米范围选 择性生长的区域。研究发现，该复合结构的制备过程与后续 外延的工艺兼容。经封装后，在复合图形衬底上制造的LED 芯片，其所测试的光通量比未添加Si02纳米颗粒的微米图 形衬底制造的LED光通量提高57%左右，而光输出功率则提 高了 17. 8%o研究表明，在传统的微米图形衬底上加入Si02 纳米颗粒阵列不仅能够提供纳米级区域外延生长的模板，有 效减少外延层的线位错密度，而且能够进一步粗化衬底表 面，增加有源层光线逸出的几率，从而有效地提高了光提取 效率。 关键词：图形衬底；提拉法；Si02纳米颗粒；光提 取效率；外延生长 中图分类号：TN 383. 1文献标志码：Adoi : 10. 3969/j. issn. 2014. 01. 005 引言 异质外延(heteroepitaxy)是半导体材料生长的一种 重要手段，由于衬底与外延薄膜之间结构及性能的差异，会 导致外延生长层的质量受到众多因素的影响。在异质外延生 长的过程中，一方面，晶格失配会带来界面处的失配位错 (misfit dislocation),该失配位错能够延伸至外延层表 面而形成贯穿外延层的线位错，对薄膜乃至后期的器件质量 有非常严重的影响；另一方面，晶格失配会引起外延层内存 在双轴应变(strain),应变的产生、演化以及弛豫同样会 影响材料的结构与性能。因此为了提高外延层薄膜的质量， 一个重要的手段是在衬底与外延层界面之间引入微纳结构 [16],或称为图形化衬底(patterned substrates)o衬底 上的微纳结构可以形成选择性外延生长(selective epitaxial growth, SEG)的区域,即能够将外延生长限定 在微纳米的区域范围内，利用区域的边壁(side wall)阻 止失配位错的延伸；微纳结构还能够形成表面粗化的结构， 避免由于外延材料与空气间存在的巨大折射率差而造成全 反射，使有源发光材料增加光线逃逸的机会，达到提高光提 取效率，有效增加外量子效率的作用。 1衬底原理 在半导体器件设计与制造过程中，已经广泛地运用了多 种微纳结构来改进材料结构和性能，如在GaN基蓝光LED芯 片生产过程中。由于蓝宝石单晶衬底A1203及GaN之间存在 了巨大的晶格失配，会导致外延层中产生高达lXlOlOcm-2 的线位错密度，该位错会随着生长过程一直延伸到有源层的 表面，成为影响器件的出光效率的重要因素。目前，已有多 种方法来提高LED芯片的外延层质量及光提取效率[710], 并取得了一系列进展。为了减少由于晶格失配及热失配带来 的生长缺陷，人们提出了外延横向过度生长(epitaxally laterally overgrown, ELOG)的方法，在 A1203 衬底上先 制备厚度达1卩m,宽度为7?8 um的条形Si02掩模，条 形Si02之间的间距大约为4 U m,在此掩模上通过金属有机 物 化学气 相沉积 (metalorganic chemical vapor deposition, MOCVD)生长较厚的GaN薄膜，GaN分子首先在 衬底的窗口处成核并选择性生长，当厚度增加时，GaN分子 将会横向生长于Si02条形掩模之上，在厚度达到10 ym左 右，所生长的条形外延层最终将横向合并并形成连续的平 面。人们发现在Si02条形掩模之上的GaN薄膜，其线位错 密度非常低( 采用静电自组装的手段将制得的纳米球 组装到蓝宝石微米图形化衬底上。首先将Si02纳米球加入 到去离子水中，将浓度调整至2 mg/ml,并调整溶液的pH为 9,使用超声振荡将小球均匀分散。自组装过程需要用到的 聚阳离子体为聚二烯丙基二甲基氯化鞍 [polydiallyldimethylammonium chloride , PDDA]购自 Aldrich公司，配制PDDA的水溶液，控制浓度4 mg/ml, pH 为9o PDDA具有在较宽的pH范围内都能带正电荷的特性， 而一般的Si02胶体颗粒的等电点为2?3,当溶液的pH高于 该等电点时，胶体粒子表面会由于电离而使粒子带上负电 荷。通过这种正负电荷的交替作用，就可以在PDDA的帮助 下，通过溶液pH调节，将SiO2纳米球规则地组装到蓝宝石 微米图形衬底的表面。实验中先将蓝宝石衬底浸入PDDA水 溶液中5 min,取出后用去离子水清洗数次，就能在衬底上 形成PDDA单吸附层，再将衬底浸入Si02单分散液中约5 min, 取出后再次用去离子水清洗数次，通过这样的浸入、清洗程 序，就会在