68HC08Flash存储器的使用方法.pdfVIP

M68HC08 Flash 存储器编程 1 编程方法 M68HC08 具有Flash 存储器，它一般用作程序存储器，不能在运行时随时擦除、写入。 许多单片机应用场合需要使用掉电不丢失内容的数据存储器，这一般用EEPROM 实现。为 节省成本，可使用 M68HC08 的Flash 存储器作这种数据的存储器。由于擦除、写入 Flash 存储器的程序不能位于Flash 存储器中，所以必须把该程序放于RAM 或ROM 中，这种程 序应使用特殊的编程方法。 一、一般MC68HC908 的Flash 存储器的在线擦除、编程方法 MC68HC908 具有Flash 编程寄存器(FLCR)，它控制Flash 存储器的擦除和编程。一般 位0 为PGM 位，编程时置位；位 1 为ERASE 位，擦除时置位；位2 为MASS 位，用作数 据存储器，不应使用(0)；位3 位HVEN 位，执行编程或擦除操作时置位，在FLCR 不为零 时不能读出Flash 存储器(包括执行程序) 。 M68HC908 还有Flash 块保护寄存器，它对应于Flash 保护区首地址的高位地址线。用 户程序必须位于保护区内，而需改写的数据存储区应位于保护区外。 注意：有的芯片的该寄存器采用Flash 单元，有的采用RAM 单元。后者在复位后应写 入保护地址。 M68HC908 的Falsh 擦除、编程方法见第二章，这里不再重复。 二、GP32 等Flash 编程方法 对于有较大RAM 的M68HC908 ，如GP32、SR12、MR32 等，可采取以下编程方法： (1)在用户程序(Flash 保护区) 内编写、存放Flash 的擦除和编程子程序。 (2)在对Flash 编程前，把擦除子程序从Flash 拷贝至RAM 中。 (3)在对Flash 编程前，把将擦除的Flash 数据区的内容拷贝至RAM 中。它的大小取决 于所使用芯片型号，例如GP32 擦除时一块大小为 128 字节。对需改写的单元，应在RAM 中进行修改。 (4)转至RAM 执行控除Flash 的子程序，执行完返回主程序(Flash 中) 。 (5)把编程子程序从Flash 拷贝至RAM 中。 (6)转至 RAM 执行编程子程序，完成把 RAM 中数据(包括新数据和不改写但已被擦除 的数据)写入Flash 中。执行完返回主程序，即完成了一次编程操作。 三、GP32 等Flash 的在线擦除、编程程序 WBF1 EQU $50 ；Working Buffer 1 WBF2 EQU $51 ; Working Buffer 2 COUNT EQU $52 ; Write Counter1~128 WTME EQU $53 ; Wait Time 32MHz: 24,16MHz: 12 TMP EQU $54 DBUF EQU $100 ; Data to be writen to Flash CBUF EQU $180 FLCR EQU $FE08 FLSPR EQU $FF7E FLSH EQU $8000 FRGM ： SEI ；Flash memory PGM Subroutine CLRH CLRX PRGM1 ： LDA EFLASH ，X ；Erase Flash Code→RAM ：CBUF STA CBUF，X INCX CPX #EFEND-EFLASH BLO PRGM1