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探討其結晶方向對5,11-雙(三乙基矽烷基乙炔基) 雙噻吩蒽有機薄膜電晶體之特性
Studies on the Electrical Characteristics of 5,11-Bis
(triethylsilylethylnyl) anthradithiophene Organic Thin Film Transistors by Crystal-Grown Direction
專題生：江艾樺 ( Ai-hua Jiang )
指導教授：郭欽湊（Prof. Chin-Tsou Kuo）
大同大學
化學工程學系
專題報告
Department of Chemical Engineering
Tatung
中華民國一百零一年十一月
Nov. 2012
摘要
本實驗以Triethylsilylethylnyl anthradithiophene (TES ADT)作為半導體層材料，並使用定量吸管拖曳液滴的方式塗佈半導體層，來探討拖曳方向對TES ADT跟元件電特性的影響。由實驗得知，將液滴直接滴落於通道中間時，所測得的載子位移率是為最佳的，其mobility值為1.44×10-1 cm2/Vs，on/off current ratio為2.60 × 104，VT為-4.2 V。而有方向的形況，則是夾角為45度之元件電特性最差。
目錄
摘要…………………………..……………………………………… I
目錄…………………………………………………………………. II
圖目錄……………………………………………………………… IV
表目錄………………………………………………………………. VII
簡介………………………………………………………….. 1
1-1前言……………………………………………………........... 1
1-2能帶理論………………………………………………........... 2
文獻回顧…………………………………………………….. 4
2-1有機薄膜電晶體(Organic Thin Film Transistor，OTFT)…… 4
2-2 電晶體之重要參數及公式計算………………………………. 5
2-2-1 載子位移率(Mobility)………………………………...... 5
2-2-2 起始電壓(Threshold voltage, VT)…………………......... 7
2-2-3 次臨界斜率(Subthreshold slope)……………………….. 7
2-2-4 開關電流比 (On/off current ratio)……………………... 8
2-3 結晶型態的控制………………………………………………. 8
2-4 雙(三異丙基矽烷基乙炔基)雙噻吩蒽……………………….. 9
2-5 研究目的及動機…………………………………………… 11
實驗……………………………………………………….... 12
3-1 器材……………………………………………………….... 12
3-2 步驟………………………………………………………… 13
3-2-1 OTFT元件之製備:下接觸式元件(Bottom-contact).... 13
3-2-2 半導體成膜………………………………………….. 17
3-2-3 儀器原理及參數設定……………………………….. 18
結果與討論……………………………………………….. 20
結論……………………………………………………….. 36
參考文獻…………………………………………………………….. 37
圖目錄
Figure 1-1 Simple band picture explaining the difference among the (a) insulator, (b) semiconductor, and (c) metal [9]………………3
Figure 2-1 Schematic representations of field-effect transistor
architectures, (a) top-gate bottom-contact, (b) top-gate top-contact, (c)bottom-gate bottom-contact, and (d) bottom-gate top-contact[13]……………………………… 4
Figure 2.2 Structure of TIPS-PEN (a) and TES-PEN (b)……………….. 9
Figure 2.3 Structure of TES ADT………………………………………
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