第8章-磁畴课程教学课件.pptxVIP

第五章 磁畴理论 ;但是实际的铁磁体有一定的几何尺寸，还要考虑退磁场能。自发磁化矢量的一致排列，必然在铁磁体表面上出现磁极而产生退磁场，这样就会因退磁场能的存在使铁磁体内的总能量要增加，自发磁化矢量的一致取向分布不再处于稳定状态。为降低表面退磁能，只有改变自发磁化矢量的分布状态来实现。于是在铁磁体内部分成许多大小和方向基本一致的自发磁化区域，这样的每一个小区域称为磁畴。 ;对于不同的磁畴，其自发磁化强度的方向是不同的。因此，退磁场能尽量小的要求是磁畴形成的根本原因。退磁场最小要求将磁体分成尽量多的磁畴；但是形成磁畴以后，两个相邻磁畴之间存在着一定宽度的过渡区域，在此区域磁化强度由一个磁畴的方向逐渐过渡到另一个磁畴的方向。磁矩遵循能量最低原理，按照一定的规律变化。这样的过渡区域称为磁畴壁。;磁畴壁内各个磁矩的方向取向不一致，必然增加交换能和磁晶各向异性能而构成畴壁能量。全面考虑，要由退磁场能的降低和磁畴壁能量的增加的利弊，即由他们共同决定的能量极小条件来决定磁畴的数目。原则上讲，在形成磁畴的过程中，磁畴的数目和磁畴的尺寸、形状等，应由退磁场能和磁畴壁能的平衡条件来决定。 以下作定量分析。 ;可得平衡时的磁畴宽度D，;二、决定磁畴结构的各种因素 ;圆片铁磁体各种磁畴结构;5.2 磁畴壁结构及其特性 ;当相邻两原子的磁矩平行排列时 ，其交换能为;;考虑畴壁是由N层原子组成，畴壁两侧磁矩夹角为180。设每层原子转过相等的角度 ，则引起的交换能增量为 ;由此可见，畴壁中包括原子层数越多，也就是畴越厚，则在畴壁中引起的交换能越小。所以，为了使畴壁中引起的交换能增加的小一点，畴壁中磁矩方向的改变只能采取逐渐过渡的形式。而不能突变0—180。;但是在畴壁中原子的自旋磁矩方向逐渐过渡，必然会引起每一个原子磁矩方向偏离原来的磁晶各向异性为最低的易磁化方向，从而导致了磁晶各向异性能的增加。例如，单位面积的畴壁所具有的磁晶各向异性能估算为 ;平衡时要求 得 ;（单位面积畴壁能） ;二、磁畴壁的类型;2．90畴壁 ;1．布洛赫壁 在布洛赫壁中磁矩的过渡方式是始终保持平行于畴壁平面，因而在畴壁面上无自由磁极出现，这样就保证了畴壁上不会产生退磁场，但在晶体表面出现磁极有退磁场。在铁磁材料中大块晶体材料内的畴壁属于布洛赫壁。由于是大块晶体材料，尺寸很大，表面磁极产生的退磁场可忽略不计。 ;2．奈尔壁 在薄膜材料中，一定条件下，将会出现奈尔壁。在奈尔壁中磁矩是平行于薄膜表面逐步过渡的。不是像布洛赫壁那样，磁矩平行于畴壁逐步过渡。这样在奈尔壁两侧表面上将会出现磁极产生退磁场。只有在奈尔壁的厚度比薄膜的厚度大很多时退磁场能才比较小。因此，奈尔壁的稳定程度与薄膜的厚度有关。 ;三、布洛赫壁的结构特征 ;2．畴壁结构的第二定则 畴壁中原子磁矩在畴壁内过渡时，始终保持与畴壁法线方向间的夹角不变。这一条，也是满足畴壁表面不出现磁荷的条件的必然结果。 ;5.3 畴壁厚度和畴壁能计算 ;例，180畴壁。在畴壁内部相邻两原子层之间的原子磁矩转过角度 。畴壁中相邻原子层的两个原子间的交换能为;因此，单位面积的畴壁中的交换能 ;在稳定的畴壁状态中，畴壁内磁矩的转向角度 必须满足使总畴壁能为极小的条件。因此可以从上式极小的条件，求出 随z变化的关系。这是一个变分问题，对于任意小的变量 ，要求总的畴壁能改变 ，即 ;因此得到;此式具有非常重要的意义，表明畴壁内任一位置处磁化矢量取向分布处于平衡稳定状态时，其交换能和磁晶各向异性能在这一位置上是相等的。在整个畴壁中磁晶各向异性能大的区域，相邻原子自旋磁矩转向的角度就大；磁晶各向异性小的区域，相邻原子自旋磁矩转向的角度就小。显然， 在晶体中各处并不相同。所以，磁矩在畴壁中旋转的角度变化率 也不是均匀的。 ;以上两式为计算畴壁厚度和畴壁能量的一般表达式。以下举例说明： ;与z之间的关系如图所示。 ;为了计算方便，将z=0处磁矩旋转斜率近似为整个畴壁厚度的磁矩旋转斜率， ;计算180畴壁能量密度 ;2．立方晶体中的90畴壁;所以 ;5.4 磁畴结构计算 ;（一）开放型片状磁畴结构 ;因此，在表面为单位面积的片状磁畴结构中，其畴壁面积为 ;D;由以上二式看出，片状磁畴的宽度D与样品的高度L和畴壁能密度 有关，又因为 与磁各向异性有关 ， 所以，片状磁畴的宽度D与样品的高度和磁晶各向异性常数有关 .;（二）闭流型(或封闭型）磁畴结构 ;1．畴壁结构第一定则 相邻两端磁畴中的自发磁化矢量在畴壁法线方向的投影分量相等。 若90畴壁，畴壁取向要满足畴壁表面不出现磁荷的条件，只能是相邻两磁畴中的磁化矢量在