第6章_CCD和COMS成像器件.pptx

;分类;;CCD背景介绍;1969年，由美国的贝尔研究室所开发出来的。同年，日本的SONY公司也开始研究CCD。 1973年1月，SONY中研所发表第一个以96个图素并以线性感知的二次元影像传感器〝8H*8V (64图素) FT方式三相CCD〞。 1974年6月，彩色影像用的FT方式32H*64V CCD研究成功了。 1976年8月，完成实验室第一支摄影机的开发。 1980年，SONY 发表全世界第一个商品化的CCD摄影机 (编号XC-1) 。 1981年，发表了28万个图素的 CCD (电子式稳定摄影机MABIKA)。 1983年，19万个图素的IT方式CCD量产成功。 1984年，发表了低污点高分辨率的CCD。 1987年，1/2 inch 25万图素的 CCD，在市面上销售。 同年，发表2/3 inch 38万图素的CCD，且在市面上销售。 1990年7月，诞生了全世界第一台 V8;目前有能力生产CCD的公司有： SONY、Philps、Kodak、 Matsushita、Sanyo和Sharp，大部分是日本厂商;第6章 CCD和COMS成像器件;; 6.1 电荷??合器件的基本原理;能带向上弯，随着向表面接近，价带顶将逐渐甚至超过费米能级; 表面价带中空穴浓度随之增加，这样表面层内就出现空穴堆积而带正电荷。越接近表面空穴浓度越高，这表明空穴堆积分布在靠近表面的薄层内。 如图6-2（a）所示。;表面处能带向下弯曲，这时越接近表面，费米能级离价带顶越远; 表面价带中空穴浓度随之降低，表面处空穴浓度将较体内空穴浓度低得多，表面层的负电荷基本上等于电离受主杂质浓度，表面层的这种状态称为耗尽，这个表面层称为耗尽层，这属于空间电荷区。; 空间电荷区两端的电势差为表面势，以VS表示，规定表面电势比内部高时，VS取正值。由于表面能带向下弯，存在表面势，具有对电子的收集能力，在表面处形成电子势阱。随UG↑，VS↑，耗尽层宽度d↑，收集电子能力↑、势阱变深，如图6-2（b）所示。; 表面处能带进一步向下弯曲，表面处费米能级位置可能高于禁带中央能级Ei，这意味着表面处的电子浓度将超过空穴浓度，即形成与原来半导体衬底导电类型相反的一层叫做反型层，如图6-2（c）所示 。 ; 当UG0，有自由电荷进入势阱，耗尽层宽度和表面势VS均随着电荷的增加而减小，势阱变浅。在这种情况下，半导体空间电荷层内的负电荷由两部分组成，一部分是耗尽层中已电离的受主电荷；另一部分是反型层中的电子，后者主要堆积在近表面内。;当电子充满势阱时，达到稳定状态，界面电子浓度等于衬底受主密度，该时就达到强反型层。在强反型层时，VS=2VF=2（Ei-EF），如果外界不注入少子（电子）或不引入各种激发，则反型层中的电子的来源只能是耗尽层中热激发产生的电子，即热生载流子，这种热激发是很慢的，为一弛豫过程,约为10-3~10-1s量级。;;;6.1.2 CCD的势阱深度和存贮电荷能力;;;;6.1.3 电荷耦合原理;;6.2.1 转移电极结构;;;6.2.2 转移信道结构;2．BCCD结构;; 通过计算可得，VZ~UG近似呈线性，VZ是氧化层厚度dox、N层厚度dN、N层中的施主浓度ND、P基底的受主浓度的受主浓度NA，以及栅压UG的函数。;1) BCCD中传递信息的电子是N层中的多子，后者是P层中少子。;6.2.3 通道的横向限制 ;;6.2.4 输入结构;;转移的电荷 : QS=COx(UG2-UG1);电位平衡法的优点: 1、线性特性好， 2、有高信噪比， 3、信号电荷在转移过程中，不会因为界面态及电荷转移不完全而使信号失真。 4、电位平衡法消除了栅注入法所带来的随机噪声。 它是目前表面CCD作为模拟信号处理较理想的输入方法。;输出结构的任务:从输入端输入的电荷包，在时钟脉冲的作用下，很快转移到输出端的最后一个时钟电极下面，还需要把电荷包无破坏地以电流或是以电压的方式输送出去。 输出结构有: 反偏二极管输出结构、浮置扩散层(FD)输出结构、浮置栅结构、分布式浮置栅结构等， 用得最多还是浮置扩散层输出结构。;;节点D电位变化与信号电荷QS为 ; 当Φr加正的窄脉冲时，即MOSFTT T1的栅极加有复位电位， T1管导通，UGG电压直接加在D点上。此时，扩散层处于强反型状态，当前一个电荷输出完毕，下一个电荷包尚未输入之前，把前一个电荷包电荷抽走，使输出端T2栅极复位，以准备接收下一电荷包的到来，之后MOST1截止，准备接收电荷。;6.3 CCD的主要特性;;2．工作频率;;;2048 × 2048 面阵CCD;6.4.1 线阵电荷耦合成像器件;;2．原理; 6.4.