Silvaco TCAD工艺仿真离子注入 扩散 淀积和刻蚀演示文稿.ppt

Page ? * 主要内容 第一部分 工艺仿真（离子注入…） 第二部分 总结 Page ? * 1 工艺仿真 第一部分 工艺仿真（离子注入…） 第二部分 总结 1.1.1 离子注入的命令及参数 命令implant，参数及说明如下： Page ? * 1.1.2 离子注入的命令及参数（续） Page ? * 离子注入的几何说明： 注入面：α 表面：∑ 仿真面：β Tilt angle：θ Rotation angle：φ 1.1.3 离子注入的例句 Page ? * implant phosph dose=1e14 energy=100 tilt=15 implant boron dose=1e13 energy=50 tilt=0 s.oxide=0.005 implant boron dose=1e13 energy=300 bca tilt=0 rotation=0 Analytical 注入： SVDP注入（s.oxide为屏氧厚度）： Monte Carlo注入： implant boron dose=1e14 energy=50 unit.damage dam.factor=0.1 注入损伤： 1.1.4 离子注入的例子 Page ? * go athena line x loc=0.0 spac=0.02 line x loc=1.0 spac=0.10 line y loc=0.0 spac=0.02 line y loc=2.0 spac=0.20 init silicon c.boron=1e16 two.d implant phosph dose=1e13 energy=50 \ tilt=7 unit.damage dam.factor=0.05 extract name=xj xj material=Silicon” \ mat.occno=1 x.val=0.05 junc.occno=1 tonyplot 抽取得到结深 Xj＝0.267678μm 1.2.1 扩散的命令及参数 命令diffuse，参数及说明如下： Page ? * 1.2.2 扩散例句 Page ? * diffuse time=1 hour temp=1000 c.boron=1e20 diffuse time=30 temp=1200 weto2 diffuse time=2 temp=800 t.final=1200 nitro press=2 diffuse time=20 temp=1200 nitro press=2 diffuse time=2 temp=1200 t.final=800 nitro press=2 Diffuse time=1 temp=1000 nitro press=1.5 磷的预沉积： 湿氧氧化（也可以定义气流）： 变温扩散： 快速热退火（RTA）： 高级的扩散模型： method pls diffuse time=1 hour temp=950 nitro c.phos=1e20 \ tsave=1 tsave.mult=10 dump.predep=predep 1.2.3 扩散的例子 Page ? * go athena line x loc=0.0 spac=0.02 line x loc=2.0 spac=0.10 line y loc=0.0 spac=0.02 line y loc=2.0 spac=0.05 init silicon c.boron=1e16 two.d deposit oxide thick=0.2 div=4 etch oxide left p1.x=0.5 method pls diffuse time=1 hour temp=950 nitro \ c.phos=1e20 tsave=1 tsave.mult=10 \ dump.prefix=predep tonyplot predep*.str tonyplot -overlay predep*.str t1 t3 t4 t5 t2 1.3.1 淀积的命令及参数 命令deposit，参数及其说明如下： Page ? * 1.3.1 淀积的命令及参数（续） Page ? * 新淀积的层 衬底 dy和ydy示意图 ydy dy 1.3.2 淀积的例句 Page ? * deposit oxide thick=0.1 dy=0.01 ydy=0.05 deposit oxide thick=0.1 div=10 淀积，网格控制： deposit material=BP