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第五章 薄膜制备技术(2) 薄膜的制备方法 薄膜的制备方法可分为：液相法和气相法 气相沉积技术分为：物理气相沉积和化学气相沉积。 物理气相沉积：（PVD) (1)真空蒸镀 (2)溅射镀膜 (3)离子镀膜 化学气相沉积：(CVD) (1)常压、低压CVD (2)等离子辅助CVD (3)激光（电子束）辅助CVD (4)有机金属化合物CVD 蒸发镀膜 概念：把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其气化而沉积于基体或工件表面并形成薄膜的工艺过程，称为真空蒸发镀膜，简称蒸发镀膜或蒸镀。 1、蒸发镀膜的装置与过程 基本设备：主要是附有真空抽气系统的真空室和蒸发镀膜材料加热系统，安装基片或工件的基片架和一些辅助装置组成。 基本过程：用真空抽气系统对密闭的钟罩进行抽气，当真空罩内的气体压强足够低时，通过蒸发源对蒸发料进行加热到一定温度，使蒸发料气化后沉积于基片表面，形成薄膜。 2、真空度 为什么镀膜时镀膜室内要具有一定的真空度？ 一方面原因：真空环境可防止工件和薄膜本身的污染和氧化，便于得到洁净致密的各种薄膜。 另一方面原因：真空镀膜时，为了使蒸发料形成的气体原子不受真空罩内的残余气体分子碰撞引起散射而直接到达基片表面。 注意：一般蒸镀真空度为（10-2～10-5）Pa。这里强调的真空度指的是蒸发镀膜前真空罩的起始气压。 二、蒸发源和蒸发方式 1、电阻蒸发源（盛放镀料的器皿）： 电阻蒸发源材料要求： a） 高熔点，低蒸汽压 b） 不与蒸发料发生相互溶解或化学反应 c） 易被液态的蒸发材料润湿。 常用材料：钨、钼、钽 加热方式：利用大电流通过时产生的焦耳热直接加热镀膜材料使其蒸发，可用于蒸发温度小于1500℃的许多金属和一些化合物。 优缺点：结构简单，方便使用;蒸发源与镀料相互接触，易对镀料造成污染或与其反应，且无法进行高熔点材料的蒸发镀膜。 2、电子束蒸发源 3、激光蒸发源 与电子束蒸发源加热原理相同 性能优于电子束蒸发源 价格昂贵 三、合金与化合物的蒸镀 1、合金蒸镀 分馏现象：合金中的各组分在同样的温度下有不同的蒸气压，组成合金后，在同样温度下合金液中各组分的蒸气压差异仍然存在，产生分馏现象。 解决方法： （1）多源蒸发 （2）瞬时蒸发 （3）反应蒸发 （4）高能量密度蒸发 2、化合物蒸镀 分解现象：常用化合物蒸发材料蒸镀薄膜时，一些化合物会在高温下分解，从而造成其中的高蒸气压组分的降低。 解决方法：控制蒸发源温度和向反应室内加热反应气体以补充气体组分的损失。 四、蒸镀特点与用途 蒸镀只用于镀制对结合强度要求不高的某些功能膜; 例如用作电极的导电膜，光学镜头用的增透膜等。 蒸镀用于镀制合金膜时在保证合金成分这点上，要比溅射困难得多，但在镀制纯金属时，蒸镀可以表现出镀膜速率快的优势。 溅射镀膜 概念：带有几十电子伏以上动能的荷能粒子轰击固体材料时，材料表面的原子或分子会获得足够的能量而脱离固体的束缚逸出到气相中，这一现象称为溅射。溅射到气相中的原子再沉积到固体表面，使之沉积成膜，称为溅射镀膜。 一、溅射镀膜的原理 1、溅射现象 溅射原理： 溅射完全是动能的交换过程，是发生了级联碰撞的结果。 2、溅射速率和溅射能量 概念：一个入射离子所溅射出的原子个数称为溅射速率或溅射产额，单位（原子个数/离子）。 影响溅射速率的因素： （1）入射离子能量和种类 （2）靶材 （3）离子的入射角及靶材温度等 溅射原子的能量：热蒸发原子10-1ev，溅射原子能量（1-10）ev。 三、溅射镀膜的工艺方法 1、二极直流溅射镀膜 优点：装置简单，操作方便。 缺点：沉积速率低，只能溅射金属等导电材料。 2、射频溅射镀膜 可以溅射介质靶材 小阴极溅射 大阳极基片 3、三极溅射与磁控溅射 三极溅射原理图 三极溅射优点： a 降低溅射气体气压 b 沉积薄膜气体含量低，膜层质量好 磁控溅射原理图 4、合金溅射和反应溅射 合金溅射产生的问题：由于溅射速率不同导致溅射初期成分不均匀。但对薄膜成分影响不大 反应溅射：化合物靶材溅射时，部分化合物分子的化学键被击断后部分逃逸，造成薄膜成分与靶材化合物成分有一定偏离。采用单质靶材并在放电气体中通入一定的活性气体来获得化合物来制取各种化合物薄膜。 离子镀膜 概念：离子镀膜简称离子镀，是在真空条件下利用气体放电，使被气化的物质部分离子化，