毕业论文--基于Silvaco TCAD半浮栅晶体管的3D建模.docxVIP

PAGE IV 大连东软信息学院 本科毕业设计（论文） 论文题目 论文题目： 基于Silvaco TCAD半浮栅晶体管的3D建模 系所： 电子工程系 专业： 电子信息工程（微电子制造方向） 学生姓名： 学生学号： 指导教师： 导师职称： 讲师 完成日期： 2013年5月1日 大连东软信息学院 Dalian Neusoft University of Information 大连东软信息学院毕业设计（论文） Abstract 基于Silvaco TCAD半浮栅晶体管的3D建模 摘 要 现如今，由于器件尺寸的不断缩小，其功率与密度在不断升高，所以也会带来很大的功耗，因其MOS（Metal Oxide Semiconductor）晶体管应用于完成高速运算，但其运算时所产生的温度极高，并且如果突然断电其所有的运算数据也将会全部丢失。然而，由于半浮栅晶体管的结构与MOS晶体管相比之下多了一层多晶硅材料，我们称之为半浮栅层，半浮栅晶体管运算速度比MOS要低很多，但其优势在于断电后数据仍可以保存。在当前需要大量运算的时代，因其对运算有极高要求的CPU和GPU领域多使用MOS晶体管，但前提是必须要配备电扇用以降低温度，如若不然，部分的元器件因其温度过高极其容易被损坏，然而，内存、闪存和固态硬盘等对数据存储和温度存在有着硬性要求的产品也多使用半浮栅晶体管（SFGT），然而，半浮栅晶体管（SFGT）具有明显的高密度和低功耗优势。 本文主要以标准硅CMOS工艺作为引子，介绍半浮栅晶体管（SFGT）的工艺、原理及特点。再以其中涉及的重要的标准硅CMOS工艺模型给出的结论作为依据，对半浮栅晶体管（SFGT）进行3D建模。本文的意义主要在于通过对半浮栅晶体管（SFGT）的3D工艺模拟得以学习与研究，分析半浮栅晶体管（SFGT）的特性进行相关的模型计算、设计、工艺模拟以后，探索性的对半浮栅晶体管的进行模拟3D工艺建模，最后能够设计并实现对半浮栅晶体管（SFGT）工艺模拟。 关键词：CMOS工艺，工艺模拟，浮栅晶体管 3D Model of Silvaco TCAD -based Semi-Floating Gate Transistor Abstract Under the current society, due to the size of the device shrinking, and the power density has been on the rise. Corresponding also can bring a lot of power consumption, MOS transistor is suitable for complete high-speed operation, but high operation temperature and a power all the operation data will be lost. Domain structure of the floating gate transistor MOS much more than a layer of polycrystalline silicon (floating gate layer), floating gate transistor speed is lower than MOS, but its advantage is that data when the power is still can be saved. The personage inside course of study says, now needs a large number of operations for operations to demand higher such as CPU and GPU field using MOS transistor, but the result is equipped with necessary electric fan for cooling, otherwise the components easily damaged, and memory, flash memory and solid-state drives for data stor