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大连东软信息学院
本科毕业设计(论文)
论文题目
论文题目:基于Silvaco TCAD的1000V 60A
NPT结构IGBT的设计与仿真
系所:
电子工程系
专业:
电子信息工程(微电子制造方向)
学生姓名:
学生学号:
指导教师:
导师职称:
讲师
完成日期:
2014年 4月 28日
大连东软信息学院
Dalian Neusoft University of Information
大连东软信息学院毕业设计(论文) 摘要
PAGE IV
基于Silvaco TCAD的1000V 60A
NPT结构IGBT的设计与仿真
摘 要
近年来,国防工业与国民经济各个领域对于电能处理和变换的要求不断提高,并且还要满足节能和新能源开发的需要,功率半导体器件作为电能变换装置核心部件也起着越来越重要的作用。绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是问世于20世纪80年代中期的一种新型电力电子器件,它兼有MOSFET的高输入阻抗、快速响应和电力晶体管(GTR)的高电流密度,低通态压降等优良特性,表现出了良好的综合特性,已成为我国当前工业领域中应用最广泛的全控型电力电子器件,并得到迅速发展。IGBT逐渐取代了功率晶体管(Power BJT)、晶闸管(GTO)和功率MOSFET,在中频、中功率电力电子电路中得到广泛应用。
IGBT的模型一直是研究的一项重点,它是器件研制和应用过程中的重要辅助工具,模型的精准可以准确地预估IGBT的暂态电气和稳态电气行为,从而为工作人员开发产品节省大量的成本和时间,因此对IGBT的设计和仿真有着重要的实际意义。
本文主要是以非穿通型(NPT型)IGBT为研究对象,详细介绍了IGBT的发展以及趋势,分析了NPT型IGBT的器件构造,工作原理和特性。并采用功率器件的算法计算1000V 60A NPT型IGBT的主要参数。运用Silvaco TCAD对1000V 60A NPT型IGBT制造工艺的仿真以及特性的模拟。
关键词:绝缘栅双极型晶体管,IGBT,Silvaco,功率半导体器件,NPT型IGBT
大连东软信息学院毕业设计(论文) Abstract
The Design and Simulation of 1000V 60A NPT IGBT Based on Silvaco TCAD
Abstract
In recent years, various areas of the defense industry and the national economy for the processing and transformation of energy required power semiconductor devices to continuously improve, to meet the needs of energy-saving and new energy development, power conversion device also plays an increasingly important role. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) is a new type of power electronic devices inventing in the mid-1980s, which has MOSFETs high input impedance, fast response and GTRs high current density, low on-state excellent characteristics such as pressure drop, showing a good overall characteristics, has become Chinas current industrial sectors most widely used full-controlled power electronic de
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