第五章-晶体管的模型.pptVIP

5.3 二极管及其SPICE模型 5.4 双极型晶体管及其SPICE模型 5.5 MOS场效应晶体管及其SPICE模型 5.5.2 MOS1模型(Level=1) MOS1模型衬底PN结电流公式 5.5.2 MOS2 模型 (Level=2) MOS3 模型 (Level=3) MOS电容模型 5)串联电阻对MOS器件的影响 5.5.3 短沟道MOS场效应管BSIM3模型(Level=49) 5.6 模型参数提取技术 漏区和源区的串联电阻会严重地影响MOS管的电学特性，串联电阻的存在使加在漏源区的有效电压会小于加在外部端口处的电压。SPICE2等效电路中插入了两个电阻rD和rS，它们的值可在模型语句：“．MODEL ”中给定，也可通过MOSFET中的NRD和NRS来确定 。 rD＝RshNRD rS＝RshNRS 式中，Rsh－漏扩散区和源扩散区薄层方块电阻 ； NRD—漏扩散区等效的方块数； NRS—源扩散区等效的方块数。 热噪声(thermal noise)是由沟道内载流子的无规则热运动造成 的，通过沟道电阻生成热噪声电压 veg(T，t)，其等效电压值可近似表达为： 式中，Df为所研究的频带宽度, T是绝对温度. 设MOS模拟电路工作在饱和区, gm可写为： 所以， ， 结论：增加MOS的栅宽和偏置电流，可减小器件的热噪声。 5.4.6 MOSFET的噪声(P67) 闪烁噪声(flicker noise，1/f-noise) 是由沟道处SiO2与Si界面上电子的充放电而引起。其等效电压值可表达为： 式中，K2是一个系数，典型值为3?1024V2F/Hz；因为??1，所以闪烁噪声被称之为1/f 噪声。电路设计时，增加栅宽W，可降低闪烁噪声。 两点说明： 1. 有源器件的噪声特性对于小信号放大器和振荡器等模拟电路的设计是至关重要的； 2. 所有FET(MOSFET, MESFET等)的1/f 噪声都高出相应的BJT的1/f 噪声约10倍。这一特征在考虑振荡器电路方案时必须要给予重视。 MOS4模型，即是BSIM（Berkeley short-channel IGFET model）模型是由美国柏克利大学于1984年开发的，专门为短沟道MOS场效应晶体管而研制的模型。 该模型是在物理基础上建立的，模型参数由工艺文件经模型参数提取程序自动产生。 该模型适用于数字电路和模拟电路，精度高(有效沟道在1um时)，运行时间短。 现已发表了BSIM1、BSIM2和BSIM3三种模型，但目前多数MOS工艺用BSIM3模型。 BSIM1、BSIM2模型集中解决模型的精度与公式简化； BSIM3模型从物理机制解决模型参数与器件特性的关系。 5.5 短沟道MOS场效应管BSIM3模型(Level=49) （1）短沟和窄沟对阈值电压的影响； （2）横向和纵向的非均匀掺杂； （3）垂直场引起的载流子迁移率下降； （4）体效应； （5）载流子速度饱和效应； （6）漏感应引起位垒下降； （7）沟道长度调制效应； （8）衬底电流引起的体效应； （9）次开启导电问题； （10）漏／源寄生电阻。 在BSIM3模型中考虑了下列效应： 67个DC 参数 13个AC 和电容参数 2个NQS模型参数 10个温度参数 11个W和L参数 4个边界参数 4个工艺参数 8个噪声模型参数 47二极管, 耗尽层电容和电阻参数 8个平滑函数参数(在3.0版本中) 共有166(174)个参数! 在BSIM3模型中包括了下列参数： 阈值电压 （1）垂直方向非均匀掺杂 （2）横向非均匀掺杂 φ 式中，表面反型电势φS=2φF， K1、K2分别为一阶、二阶体效应系数。 阈值电压 （3）短沟道效应 式中ΔVTH是由于短沟效应而引起的阈值电降，它是通过沿沟道求解二维泊松方程得到： 其中 θ是短沟效应系数； VSO是衬底与源极之间PN结的内建电势。 阈值电压 （4）窄沟道效应 式中，K3 为窄宽度效应系数； K3B为窄宽度效应系数体效应因子； WO为窄宽度效应参数； W `eff为有效的沟道宽度。 一个好的表面迁移率模型对于MOSFET模型的精度是致关重要的。一般讲，迁移率与很多工艺参数及偏置条件有关。BSIM3中所提供的迁移率公式是： 迁移率 式中，μO 为低场迁移率； UA为一阶迁移率下降系数； UB为二阶迁移率下降系数； UC 为体效应引起的迁移率下降系数 GP直流模型 GP小信号模型 GP小信号模型与EM小信号模型十分一致，只是小信号参数的值不同而已。 MOS管的理想电流方程分段表达式： MOS管的理想电流方程统一表达