第4章+半导体三极管.pptVIP

* * * * 4.稳压管与二极管的主要区别 稳压管比二极管的反向特性更陡。 稳压管运用在反向击穿区 二极管运用在正向区 电阻R的作用：①限流作用，以保护稳压管； ②当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。 UO VDZ R RL + － 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 IZ IL 输入电压Ui的增量绝大部分降落在R上，使输出电压Uo基本不变。 4.4.5 光电二极管 反向电流随光照强度的增加而上升。 I V 照度增加 4.4.6 发光二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 4.5.1 基本结构 4.5 半导体三极管 一块半导体基片上制成两个PN结，再引出三个电极，然后用管封装而成。 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 中间部分称为基区，相连接电极称为基极（Base） 一侧称为发射区，相连接电极称为发射极（Emitter） 另一侧称为集电区，相连接电极称为集电极（Collector） E-B间的PN结称为发射结 C-B间的PN结称为集电结 基区：中间薄层半导体（几微米至几十微米）。掺入杂质最少，因而多数载流子浓度最低。 基区两边为同型半导体，但两者掺入杂质的浓度不同，故多数载流子的浓度不同。 发射区：多数载流子浓度大，发射多数载流子 集电区：多数载流子浓度小，收集载流子 集电结面积大于发射结，其目的在于保证集电区能有效地收集载流子。 晶体管的结构和类型 PNP型的发射极箭头向内，多为锗管； NPN型的发射极箭头向外，多为硅管。 B E C N N P EB RB Ec RC 放大的条件：发射结正偏，集电结反偏 EB保证发射结正偏，ECEB保证集电结反偏。 4. 5. 2 三极管的工作原理 （1）发射区向基区扩散电子： 当发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子（自由电子）不断扩散到基区；同时电源负极不断把电子送入发射区以补偿扩散电子，形成发射极电流IE，其方向与电子运动方向相反。 同时基区的多数载流子（空穴）也扩散到发射区而形成电流，但由于基区的空穴浓度比发射区的自由电子浓度低得多，故这部分空穴电流很小，可忽略不计。 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ，多数扩散到集电结。 B E C N N P EB RB Ec 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE IB RC IB （2）集电区收集从发射区扩散过来的电子： 由于集电结加了较大的反向电压，其内电场增强。内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用，但对基区内的少数载流子（电子）则是一个加速电场。所以，从发射区进入基区并扩散到集电结边缘的大量电子，作为基区的少数载流子，几乎全部进入集电区，然后被电源Ec拉走，形成集电极电流IC 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成IC。 B E C N N P EB RB Ec IE IC IB IC RC IB 各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 电流放大系数： 集电极电流的变化量ΔIC与基极电流的变化量ΔIB的比值。 4.5.3 特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 共发射极电路 输入回路 输出回路 测量晶体管特性的实验线路 IC EB mA ?A V UCE UBE RB IB EC V + + – – – – + + 1. 输入特性 　输入特性曲线是指当集电极与发射极之间的电压UCE为常数时，输入电路中基极电流IB与 基极—发射极电压UBE之间的关系曲线，用函数关系表示为： 死区电压硅管0.5V 锗管0.2V 输入特性