磁控溅射法制备AZO透明导电薄膜及其性能研究.docVIP

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磁控溅射法制备AZO透明导电薄膜及其性能研究 暨南大学硕士论文 磁控溅射法制备 AZO透明导电薄膜及其性能研究 论 文 摘 要 近年来,透明导电薄膜已成为液晶显示、触控面板、太阳能电池等的关键 性材料之一, 越来越受到人们的重视。且随着 LCD 的商品化、彩色化、大型化 和提高太阳能电池能量转换效率的要求,对透明导电薄膜的要求也越来越高,需 满足如下条件:电阻率低;透过率高;镀膜温度更接近室温;热稳定性优良;耐 热性和耐碱性优良;硬度高;表面形状良好;与基底的附着性良好;能大面积均 匀地镀膜;价格较低等。 研究发现,掺铝氧化锌AZO薄膜具有同 ITO 薄膜可比拟的光电特性,且 在等离子体中化学稳定性较好、氧化锌和铝材料来源丰富、价格低廉、几乎无毒 性,逐渐成为化合物半导体材料中一个新的研究热点,呈现取代 ITO 薄膜的趋 势,开始逐步应用到众多领域中。 本论文采用常温固相烧结法,自制不同 Al 掺杂浓度的 AZO陶瓷靶材;采 用射频磁控溅射法,通过改变沉积工艺参数,制备不同性能的 AZO 薄膜样品; 研究分析了不同参数对 AZO 薄膜结构和性能的影响,提出昀佳工艺条件。结论 如下: 1)不同工艺条件下均得到了呈现较强002衍射峰的 AZO薄膜;溅射功率为 150 W以下时,随着功率的提高,薄膜的结晶性越来越好,电阻率呈下降趋势; 随着工作压强的降低,002衍射峰越来越强,电阻率越来越小,0.4 Pa 时结晶效 果昀佳;随着薄膜厚度的增加,电阻率逐渐减小,可见光区透过率有所下降。 2)基底为室温时所得 AZO 薄膜的结晶性良好,导电性和透光性也较佳;随 着基底温度的提高,薄膜晶粒变大,结晶程度有所提高;电阻率较大幅度下降。 3)不同 Al 掺杂浓度的 AZO 薄膜均呈六方纤锌矿结构,且随着 Al 浓度的提 高,薄膜的导电性有所下降,2at%掺杂浓度的 AZO样品效果昀好。 4)在空气中,不同温度、不同时间退火后,AZO 样品的结晶性和导电性并 未提高,但可见光区透过率有所增加。 关键词: AZO透明导电薄膜,磁控溅射,溅射功率,光学性能,电学性能 I暨南大学硕士论文 磁控溅射法制备 AZO透明导电薄膜及其性能研究 Abstract Transparent conducting thin films have attracted people’s attention as much as they can in recent years, and they are becoming one kind of the key materials to produce thin film displays, touch panels and solar cells. With the development of LCD technology and the enhancement of solar cells’ efficiency, the quality demand is much more rigorously for transparent conducting thin films, such as: low resistivity, high transmittance, and low depositing temperature, good thermal stability, high sharpness, good surface condition, high adhesive quality, low price and so onAluminum doped zinc oxide has similar electrical and optical properties to ITO, but it is a non-toxic material, has high temperature stability, and cost less to manufacture, which in turn makes AZO as an ideal alternative material for ITO and draws great attention nowadays In this paper, high-quality ZnO:AlAZOfilms were prepared by using RF magnetron sputtering method with home-made AZO ceramic target by changing the sputtering conditions, and thei

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