反应形成-热压烧结特制备si,3n,4mosi,2陶瓷材料的工艺过程及性能研究.docxVIP

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反应形成-热压烧结特制备si,3n,4mosi,2陶瓷材料的工艺过程及性能研究

原创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独 原创性声明 本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独 立进行研究所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不 包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的科研成果。对本文的研 究作出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本声明 的法律责任由本人承担。 论文作者签名:iI^继 日 期:多芝!星!丝型 关于学位论文使用授权的声明 本人完全了解山东大学有关保留、使用学位论文的规定,同意学 校保留或向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论 文被查阅和借阅;本人授权l-【j东大学可以将本学位论文的全部或部分 内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或其他复制手段 保存论文和汇编本学位论文。 (保密论文在解密后应遵守此规定) 论文作者签名:邀 导师签名: 日 期: 山东大学硕士学位论文摘要 山东大学硕士学位论文 摘要 以Si、Mo为起始原料,经预热、反应烧结、最后热压烧结制成Si3小VMoSi2 复合陶瓷材料。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等对该材料的相结 构和显微结构进行了分析。对反应生成试样及后热压烧结试样进行了室温及高温 机械性能测试,研究表明,从室温至1200℃材料的抗弯强度随温度升高而明显 增加,并利用扫描电镜对不同温度下的断裂面进行了显微结构分析。 研究了不同MoSi2含量的Si3删oSh复合材料的高温氧化行为,用XRD和 SEM分析材料氧化以后的相组成及显微结构,探讨了该材料的氧化机理和氧化 膜的破坏方式,结果表明,不同MoSi2含量的Si3M瓜伯Si2复合材料在1400C空 气中氧化100h的氧化增量符合抛物线规律,随着MoSi2的含量的增加,材料的 氧化活化能升高,氧化后的强度损失率减小。 用Si、Mo和Nb作为起始原料通过预烧结、氮化反应和N2气氛下的热压 烧结制备出Si3NdMoSh/NbN复合材料,借助SEM和XRD等分析手段对各阶 段样品的相组成和显微组织进行了表征,结果表明:在预烧结阶段获得了NbN、 MoSi2和未反应的Si相;随着温度的提高,氮化反应生成了a.Si3N4和少量 p—Si3N4;最后经热压烧结制备了Si3N4/MoSi2/NbN复合材料。 以Si3N4/MoSi2/NbN复合材料作为研究对象,研究了其在不同温度下的氧 化性能。利用XRD、SEM等分析手段对复合材料的氧化产物进行了测定。结果 表明试样在1150.1400℃温度范围内氧化出现了两个阶段,即0.15h线形快速氧 化阶段,A、B氧化活化能分别为98kJ/mol和132kJ/mol,而15h以后为抛物线 缓慢氧化阶段,A、B氧化活化能分别为426kJ/mol和492kJ/mol;气孔率越高, 氧化越严重,快速氧化阶段持续时间越长。 关键词:二硅化钼;氮化硅;增韧复合材料;金属间化合物 山东大学硕士学位论文ABSTRACT 山东大学硕士学位论文 ABSTRACT A special procedure which consists of pre—sintering,reaction-bonding and post—hot-pressing was employed to prepare Si3N4/MoSi2 composite,using as starting materials Si,Mo power mixture.The microstructural development during each processing step of the composite was characterized by X-ray diffractometer(XRD), scan electron microscopic analysis(SEM) etc. Mechanical properties of post-hot-pressed specimens as well as reaction-bonded specimens were characterised at room and high—temperatures.The Si3N4/MoSi2 composite showed a pronounced increase in bend strength from room temperature up to 1200。C.Microstructural analysis was performed on the fracture surfaces of specimens with different temperatures. The isothermal oxidation bchavior

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