课件：专用集成电路教学一.ppt

二、半定制集成电路（Semi-Custom Design Approach） 定义：即设计者在厂家提供的半成品基础上继续完成最终的设计，只需要生成诸如金属布线层等几个特定层次的掩膜。根据采用不同的半成品类型，半定制集成电路包括门阵列、门海和标准单元等。 半定制集成电路包括门阵列、门海、标准单元等。 三、可编程逻辑器件（如FPGA、CPLD等） 定义：这种集成电路使设计者不用到半导体加工厂，只需坐在实验室或家中计算机前就可以完成集成电路的设计，十分方便，而且可多次修改自己的设计，且不需要更换器件和硬件。 四、专用集成电路的设计方法 ASIC设计有别于板级电路设计的主要方面 设计层次不同 所使用的设计/调试手段不同 产品的最终结构形式不同 开发费用/风险不同 成功ASIC设计所必备的条件 ASIC电路设计人员对所设计的电路与系统有充分的理解,并且具备扎实的电路理论功底和丰富的实践经验具有适当高效的EDA辅助设计软件并能够熟练应用有一整套完整可靠的设计方法和流程以确保设计中每一步骤的正确性电路设计人员与ASIC生产厂家紧密配合。 ASIC的设计流程 系统方案设计阶段 需求分析 ——技术文档 ASIC功能描述 输入/输出信号定义及时序描述 控制/状态寄存器描述 确定电路总体结构形式 ——使用仿真工具 计算机编程/MATLAB SPW/COSSAP 确定电路最高/平均工作频率，估算电路规模及功耗 ——功耗估算： P = Cell * F-avg * K，K = 0.75uW/MHz(3.3V Vdd)0.30uW/MHz(2.0V Vdd) Thank you ! 谢谢观赏 WPS Office Make Presentation much more fun @WPS官方微博 @kingsoftwps THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 可编辑 可编辑 专用集成电路设计基础 Company Logo 《专用集成电路设计基础》课程介绍 课时：32学时 基本内容学时分配： 一：概论(1个课时) 二：集成电路工艺基础及版图设计(2个课时) 三：CMOS集成电路器件基础(2个课时) 四：数字集成电路设计基础(4个课时) 五：模拟集成电路设计基础(2个课时) 《专用集成电路设计基础》课程介绍 六：硬件描述语言VHDL/Verilog HDL简介(2个课时) 七：常用EDA工具简介(2个课时) 八: 复习 要求：初步了解ASIC设计的全部过程及相关设计技术 考核方法：笔试 第一章 概论 什么是集成电路？ ASIC — Application Specific Integrated Circuit，意为专用集成电路，是面向特定用户或特定用途而专门设计的集成电路。 采用ASIC设计突出的优点 1.某些复杂电路系统只能采用ASIC进行设计 2.采用ASIC设计复杂电路系统具有极高的性价比 3.能够减少开发时间,加快新产品的面世速度(Time-to-Market) 4.提高系统的集成度,缩小印制板面积,降低系统的功耗 5.提高了产品的可靠性,使产品易于生产和调试,降低了维护成本 国外IC发展现状和趋势 1.当前国际集成电路的加工水平为0.09微米（90纳米），我国目前的水平为0.18微米，与国外相差2~3代。 2.目前国内外硅圆片加工直径多为8英寸和12英寸，16和18（450nm）英寸正在开发当中，预计18英寸硅片在2016年可望投入生产。 3.集成电路扩展新的应用领域：微机电系统（MEMS）、微光机电系统、生物芯片、超导等。 4.基础研究的主要内容是开发新原理器件，包括：共振隧穿器件（RTD）、单电子晶体管（SET）等。 IC发展重点和关键技术 1.亚100纳米可重构SoC创新开发平台与设计工具研究 2.SoC设计平台与SIP（硅知识产权）重用技术 3.新兴及热门集成电路产品开发，包括64位通用CPU以及相关产品群、网络通信产品开发等 4.10纳米1012赫兹CMOS研究 5.12英寸90/65纳米微型生产线 6.高密度集成电路封装的工业化技术 7.SoC关键测试技术研究 8.直径450nm硅单晶及抛光片制备技术 1.1集成电路的发展历程 集成电路的出现： 1947-1948年：公布了世界上第一支（点接触）晶体三极管—标志电子管时代向晶体管时代过渡。因此1956年美国贝尔实验室三人获诺贝尔奖。 1947年圣诞节前两天的一个中午，贝尔实验室的沃尔特?布拉登和约翰?巴丁用几条金箔片、一片半导体材料和一个弯纸架制成一个小模型，可以传导、放大和开关电流。他们把这个发明称为“点接晶体管放大器”。 William Shockley “晶体管之父”19