《模拟电子技术基础》(第四版)_第一章.ppt

2、晶体管的等效模型 （1）晶体管直流模型 iB uBE 0 UＤ iC / mA uCE /V 0 IB4 IB3 IB2 IB1 IB4 IB3 IB2 IB1 前提: Q点在放大区 IBQ UD b e UBEQ e c ICQ IBQ UCEQ （1）晶体管直流模型 RC Rb 20V VCC VBB + - uCE (uO) ui + - 直流电压和交流信号同时作用下 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 　 集电极C 发射极E 基极B N N P P N 三、PNP型三极管 C B E T 1.结构示意图 2.符号 N N＋ P 几百微米 几微米 e b c NPN 型三极管结构图 三极管能具有放大作用的内部结构特点 （1）基区很薄（几?m~几十? m）,形成两个靠得很近的PN结, 且载流子浓度很低。 （2）发射区掺杂浓度很高。 （3）集电结的面积很大。 三极管能具有放大作用的外部条件 : （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于NPN型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 对于PNP型三极管应满足: UEB 0 UCB 0 即 VC VB VE E C B T C B E T 晶体管的基本放大应用 输入回路 输出回路 有源器